CFET cells - FEOL、BEOL 和背面互连的介绍
本文主要讲述CFET cells。 在现代半导体技术中,随着工艺节点的不断缩小和对性能、功耗的严格要求,CFET(Complementary FET) 技术逐渐成为一个研究热点。CFET 是基于互补型场效应晶体管(CMOS)技术的创新,采用了垂直集成的结构,有效提高了集成度和性能。为了实现CFET技术的全面应用,前端工艺(FEOL)、后端工艺(BEOL)以及背面互连(Backside Interc
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本文主要讲述CFET cells。 在现代半导体技术中,随着工艺节点的不断缩小和对性能、功耗的严格要求,CFET(Complementary FET) 技术逐渐成为一个研究热点。CFET 是基于互补型场效应晶体管(CMOS)技术的创新,采用了垂直集成的结构,有效提高了集成度和性能。为了实现CFET技术的全面应用,前端工艺(FEOL)、后端工艺(BEOL)以及背面互连(Backside Interc
本文介绍了在前段、中段、后段中分别用到的量测技术。 一、前段(FEOL)量检测技术 前端制程(Front End of Line, FEOL)是集成电路制造中形成晶体管等核心有源器件的阶段。在这一纳米尺度的精密制造过程中,量检测技术如同“制程之眼”,通过实时、在线的监控与测量,确保每一道工艺参数都严格控制在设计窗口内,是保障芯片性能、成品率和可靠性的基石。 核心量检测项目分类 FEOL的量检测任务