SRAM 微缩——从 FinFET 瓶颈到 CFET 垂直堆叠
本文介绍了SRAM 微缩。 过去，SRAM bitcell 的密度提升主要依赖于光刻技术的迭代，即通过持续缩小 contacted poly pitch（CPP）与 metal pitch（MP）来压缩单元面积。 然而，随着工艺节点推进至纳米尺度，短沟道效应、工艺波动及寄生参数等非理想因素显著加剧，单纯依靠几何微缩的成本与复杂度陡增。 在摩尔定律逼近物理极限并遭遇能效墙（power wall）的双
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# CFET
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CFET cells - FEOL、BEOL 和背面互连的介绍
本文主要讲述CFET cells。 在现代半导体技术中，随着工艺节点的不断缩小和对性能、功耗的严格要求，CFET（Complementary FET） 技术逐渐成为一个研究热点。CFET 是基于互补型场效应晶体管（CMOS）技术的创新，采用了垂直集成的结构，有效提高了集成度和性能。为了实现CFET技术的全面应用，前端工艺（FEOL）、后端工艺（BEOL）以及背面互连（Backside Interc