SiC SBD：第三代半导体的破局者
碳化硅(SiC)功率器件在高压和高温应用中展现出卓越的效率与性能，而传统硅基器件在这些领域则面临物理极限。 在各类SiC器件中，肖特基势垒二极管(SBD)被公认为最早问世的SiC功率器件，相关研究可追溯至1974年[1]。SBD很快便实现了广泛的商业化应用，尤其在电动汽车牵引逆变器和可再生能源装置等电源转换系统中。 SiC肖特基势垒物理原理 与依赖P型和N型半导体结的PN结二极管不同，SBD通过金
电源管理、电路设计技术专题 · 共 2 篇内容
# Bourns
「Bourns」是电子工程与电源管理、电路设计领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 2 篇关于 Bourns 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料（最近更新于 2026年08月）。核心收录议题涵盖《SiC SBD：第三代半导体的破局者》《多级浪涌保护怎么做？用三级协同架构！》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。
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多级浪涌保护怎么做？用三级协同架构！
敲黑板 1.三级协同浪涌保护架构包含哪些元件？ 2.为什么要用"堆叠GDT"而不是单支GDT？ 3.空心退耦电感在电路中起什么作用？ 4.4kV浪涌到来时各元件如何动作？ 5.如何选择元件适配不同浪涌等级（4kV/6kV/8kV）？ 气体放电管（GDT）**（一级大通流泄放）+ 空心退耦电感（时序协调）+PTVS 功率 TVS（末级精准钳位）**三级协同架构，适配 IEC 61000-4-5 8/