SiC SBD：第三代半导体的破局者
碳化硅(SiC)功率器件在高压和高温应用中展现出卓越的效率与性能，而传统硅基器件在这些领域则面临物理极限。 在各类SiC器件中，肖特基势垒二极管(SBD)被公认为最早问世的SiC功率器件，相关研究可追溯至1974年[1]。SBD很快便实现了广泛的商业化应用，尤其在电动汽车牵引逆变器和可再生能源装置等电源转换系统中。 SiC肖特基势垒物理原理 与依赖P型和N型半导体结的PN结二极管不同，SBD通过金
标签专题 · 共 4 篇文章
# Bourns
关于「Bourns」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
4
篇文章
13
人关注
227
次浏览
多级浪涌保护怎么做？用三级协同架构！
敲黑板 1.三级协同浪涌保护架构包含哪些元件？ 2.为什么要用"堆叠GDT"而不是单支GDT？ 3.空心退耦电感在电路中起什么作用？ 4.4kV浪涌到来时各元件如何动作？ 5.如何选择元件适配不同浪涌等级（4kV/6kV/8kV）？ 气体放电管（GDT）**（一级大通流泄放）+ 空心退耦电感（时序协调）+PTVS 功率 TVS（末级精准钳位）**三级协同架构，适配 IEC 61000-4-5 8/
破解高压快充EMI难题：Bourns大电流车规电感解决方案
随着汽车电子系统从传统燃油车的低压架构向纯电动汽车的400V、800V高压平台转型，电磁干扰（EMI）的抑制面临着全新的、更为严峻的挑战。进入新能源汽车时代，高压快充技术的普及使得电压变化率（dV/dt）与电流变化率（dI/dt）显著提升，导致EMI的强度、频率范围及传播路径发生了显著变化。这一技术变革直接推动了车规级磁性元件向大电流承载、宽频带阻抗及高环境可靠性方向演进。 汽车电子EMI抑制的技
BTJ热跳线芯片：大功率电子系统少不了的“退热贴”
今天的电子设备集成度越来越高，外形则越来越小，在这样的高密度空间内，热管理就成了一个不容忽视的问题。 这样的热管理挑战对于一些大功率的应用更为突出，如果不能为产生热量的元器件（如功率半导体）有效地散热、降温，那么这些多余的热量不仅会影响元器件本身的可靠性和使用寿命，还可能对其周围的元器件和电路产生不良影响。 为了优化大功率电子设备的热设计，Bourns推出了BTJ系列热跳线芯片，将其一端连接发热