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# CoolGaN

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可靠才是硬道理:英飞凌CoolGaN™质量保障体系揭秘

氮化镓(GaN)性能优异,但客户最常问的是:它能像硅器件一样稳定工作十年以上吗? 作为全球功率半导体领导者,英飞凌的回答不仅是数据,更是一套贯穿设计、制造、认证与应用的全生命周期质量体系。在近日专题研讨中,英飞凌专家首次系统披露了CoolGaN™背后的可靠性工程。 质量之道:言出必行,零缺陷 英飞凌的质量理念是“言出必行”,承诺零缺陷。这背后是三大支柱: 设计可靠性:基于对氮化镓物理特性的深刻

功率升级,尺寸瘦身:英飞凌CoolGaN™ 低压氮化镓晶体管与PSOC™ Control C3微控制器重塑低压电机控制

在电机控制设计中,工程师们始终面临一个经典难题:如何在有限的空间内,实现更高的效率、更低的温升和更优的动态响应? 传统硅基MOSFET方案受限于开关速度与损耗,往往不得不在性能与体积之间妥协。如今,英飞凌CoolGaN™低压氮化镓晶体管与全新PSOC™ Control C3微控制器的组合,为低压电机控制带来了系统级的突破——更小、更冷、更静、更快。 从器件到系统:CoolGaN™的价值飞轮 与硅基

芯闻速递 | 英飞凌推出多款创新电源解决方案,全面赋能AI数据中心提效增速

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英飞凌针对800 VDC架构AI数据中心推出基于CoolGaN™的高压IBC参考设计 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出两款全新高压中间总线转换器(HV IBC)参考设计,帮助客户加速向±400 V和800 V直流(VDC)供电的AI服务器电源架构转型。这些参考设计采用英飞凌的650 V CoolGaN™开关,专为追求更高机架功率、更低配电损耗、更优散热性能的超大规模云服