从28nm到A14：芯片工艺的“追更”之路，每一代都在卷什么？
本文将介绍从28nm到A14（约1.4nm）的演进路径。 在半导体行业，每一代工艺节点的跨越都像是一场精密到原子级别的“极限挑战”。最近的一份技术总结，清晰地勾勒出了从28nm到A14（约1.4nm）的演进路径——这不仅是数字的缩小，更是整个制造体系的重构。 金属间距 摩尔定律的真实标尺工艺节点的数字常常让人迷惑——所谓的“5nm”、“3nm”早已不是某个具体尺寸。真正的物理标尺，是后段互连中的金
制造工艺技术专题 · 共 3 篇内容
# EUV光刻
「EUV光刻」是电子工程与制造工艺领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 3 篇关于 EUV光刻 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料（最近更新于 2026年09月）。核心收录议题涵盖《从28nm到A14：芯片工艺的“追更”之路，每一代都在卷什么？》《未来光刻替代技术—NIL技术介绍》《先进制程芯片的研发和生产，究竟难在哪里？》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。
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未来光刻替代技术—NIL技术介绍
本文主要讲述NIL技术。 目光投向EUV光刻之外的技术路线。纳米压印光刻（Nanoimprint Lithography，简称NIL）作为一种有力的补充方案，近期因佳能推出相关设备而备受关注，业界看好其打破传统光刻机垄断的潜力。 原理与工艺差异 传统光刻技术（包括DUV和EUV）的本质是利用光源通过掩模版对光刻胶进行图案化，其分辨率由光源波长决定。工艺流程包括涂布光刻胶、掩模对位、曝
先进制程芯片的研发和生产，究竟难在哪里？
先纠正一个常见误解：3nm、5nm 不是尺子上真实的线宽，更像是工艺代际名称，代表晶体管密度、功耗、性能、设计规则和量产能力的一整套升级。公开资料看，台积电 3nm FinFET 工艺已在 2022 年进入高量产阶段，2nm N2 也已在 2025 年第四季度进入量产，并开始采用 nanosheet 晶体管结构。 所以问题的核心不是“能不能做出 3nm”，而是：能不能高良率、低成本、稳定地做出几千