白皮书下载｜英飞凌最新版SiC可靠性白皮书解读
SiC MOSFET凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限于： 栅氧缺陷多，早期失效风险高 长期工作中的阈值电压漂移问题（BTI/GSI） 宇宙射线引发单粒子烧毁 短路/雪崩耐受弱 体二极管存在双极退化 为此，英飞凌重磅发布全新升级版Si
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SiC MOSFET凭借优异的性能优势，已成为电力电子领域的核心器件，备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构，SiC功率器件的长期可靠性，始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限于： 栅氧缺陷多，早期失效风险高 长期工作中的阈值电压漂移问题（BTI/GSI） 宇宙射线引发单粒子烧毁 短路/雪崩耐受弱 体二极管存在双极退化 为此，英飞凌重磅发布全新升级版Si