白皮书下载|英飞凌最新版SiC可靠性白皮书解读

来源:英飞凌官微 半导体产业 112 次阅读
摘要:SiC MOSFET凭借优异的性能优势,已成为电力电子领域的核心器件,备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构,SiC功率器件的长期可靠性,始终是研发工程师重点关注的核心问题。 问题包括但不限于: 栅氧缺陷多,早期失效风险高 长期工作中的阈值电压漂移问题(BTI/GSI) 宇宙射线引发单粒子烧毁 短路/雪崩耐受弱 体二极管存在双极退化 为此,英飞凌重磅发布全新升级版Si

SiC MOSFET凭借优异的性能优势,已成为电力电子领域的核心器件,备受行业关注。但由于特殊的材料属性与器件结构,SiC功率器件的长期可靠性,始终是研发工程师重点关注的核心问题。

问题包括但不限于:

  • 栅氧缺陷多,早期失效风险高

  • 长期工作中的阈值电压漂移问题(BTI/GSI)

  • 宇宙射线引发单粒子烧毁

  • 短路/雪崩耐受弱

  • 体二极管存在双极退化

为此,英飞凌重磅发布全新升级版SiC可靠性白皮书,全文近4万字,系统性梳理SiC MOSFET可靠性的核心要点和应对之策。内容全面解析SiC器件独有失效机制,详解标准化测试验证流程,从技术层面筑牢产品长期运行稳定性。

同时,白皮书深度剖析多项核心技术难题,涵盖各种工况下栅极氧化层可靠性、动态负荷应力影响、抗辐射性能、湿度诱发失效机理等关键议题,为器件选型、产品设计与工况应用提供权威技术参考。

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