Charge Trap与Floating Gate
本文介绍了Charge Trap与Floating Gate。 本期聊聊两种主要的NAND 技术路线，以及国际大厂阵营的分类。 在实现真正的 3D NAND 量产之前，各类技术研讨会上已经对多种 3D NAND 方案开展了长达十年的研究。涉足该领域的存储企业主要包括东芝、三星、英特尔、海力士和美光。 研发 3D 技术的核心目标是降低每比特成本、提升芯片密度，同时不必缩小二维光刻工艺节点。下图 汇总
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# Solidigm
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起步250TB！传三星正在开发“近线固态硬盘”，替代HDD
近日，对象存储解决方案供应商Scality在与外媒的交流中正式披露，其已在实验室环境中完成了对三星电子与Solidigm联合研发的“NL-SSD”（近线固态硬盘）原型的测试。 这款起步容量高达250TB、最大可达1PB的超大容量固态硬盘，被三星明确定位为“机械硬盘（HDD）的终结者”，标志着数据中心存储架构即将迎来一次根本性的代际更替。 在人工智能与大数据爆发式增长的当下，数据中心的存储需求正面临
面向AI的SSD，彻底火出圈
当GPU算力以每季度翻番的速度狂飙，当HBM成为AI服务器的“硬通货”，一块被严重低估的核心部件——面向AI工作负载优化的SSD，正站在产业矛盾的中心点。而当前市场的主流存储方案HDD与HBM，各自存在难以突破的发展掣肘，正是这一局面的关键成因。 | HBM、HDD，均不是最优解 先看**HBM**，随着GPU算力的爆发式增长，本质上是“数据处理能力”的指数级提升。从单卡到集群，从百亿参数到万亿参