无图形晶圆缺陷Darkfield检测技术介绍
本文介绍了裸晶圆缺陷检测中暗场检测技术。 在半导体制造过程中，无图形晶圆通常指裸硅片或假片，主要用于设备测试以及机台内部环境洁净度的监控。当此类晶圆表面存在过多颗粒、残留物或划痕等缺陷时，需要及时排查来源，以保障工艺的稳定性。为了有效探测这些微小异常，暗场检测技术被广泛应用于无图形晶圆的缺陷检测。 暗场检测的基本原理 无图形晶圆表面较为平整均匀，其正常区域的镜面反射光方向集中。当入射光照射到理想
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# 中科飞测
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集成电路制造中的缺陷检测
在追求极致性能与极小特征尺寸的集成电路制造领域，任何微小的异常均可能导致芯片失效。这些异常，即制造缺陷，是影响最终产品良率、性能与可靠性的直接因素。缺陷并非呈现单一形态，而是在晶圆经历上百道工艺步骤的过程中，不断演化、累积并显现，构成一幅复杂的图景。 一、缺陷分类 前端制程（Front End of Line, FEOL）是集成电路制造中形成晶体管等核心有源器件的阶段。在这一纳米尺度的精密制造过