白皮书下载|英飞凌CoolGaN™ 650 V G5双向功率开关: 基本原理与设计考量
近70年来,单向功率开关(UDS)一直是所有功率电子应用(包括双向功率变换系统)的主流器件。几十年来,UDS技术不断革新,基于UDS开关的设计已能够轻松实现超过95%的效率。然而,高效化与高功率密度为行业的持续追求。减少板卡上的器件数量,是提升效率的一种较为直接的方式,这可以缩小PCB尺寸,进而提高功率密度。在需要实现双向电压阻断的应用中,UDS便体现出其局限性,导致需要采用背靠背(B2B)开关
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近70年来,单向功率开关(UDS)一直是所有功率电子应用(包括双向功率变换系统)的主流器件。几十年来,UDS技术不断革新,基于UDS开关的设计已能够轻松实现超过95%的效率。然而,高效化与高功率密度为行业的持续追求。减少板卡上的器件数量,是提升效率的一种较为直接的方式,这可以缩小PCB尺寸,进而提高功率密度。在需要实现双向电压阻断的应用中,UDS便体现出其局限性,导致需要采用背靠背(B2B)开关
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。 不管是SiC MOSFET还是IGBT,并联的目标都是实现电流的均匀分布,且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标,我们需要做到三点: 1.并联芯片参
碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第二篇,将介绍三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案 SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点 S