近70年来，单向功率开关（UDS）一直是所有功率电子应用（包括双向功率变换系统）的主流器件。几十年来，UDS技术不断革新，基于UDS开关的设计已能够轻松实现超过95%的效率。然而，高效化与高功率密度为行业的持续追求。减少板卡上的器件数量，是提升效率的一种较为直接的方式，这可以缩小PCB尺寸，进而提高功率密度。在需要实现双向电压阻断的应用中，UDS便体现出其局限性，导致需要采用背靠背（B2B）开关结构的设计方案。
正因如此，与B2B UDS方案相比，双向功率开关（BDS）显得极具吸引力。与传统的B2B UD方案相比，英飞凌CoolGaN™ BDS 650 V G5在系统效率和功率密度方面实现了显著提升。通过将两个开关集成于同一器件中，高压BDS助力工程师实现更高功率密度与效率。
CoolGaN™ BDS 650 V G5有望在多种应用中带来革新，包括：
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替代现有设计中的B2B分立式开关，例如：维也纳整流器、T型变换器和HERIC拓扑结构
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支持光伏微型逆变器和其他单级隔离拓扑结构中的单级DC-AC变换
本白皮书介绍了新型CoolGaN™ BDS及其结构和工作模式，并阐述了UDS和BDS在栅极驱动方面的差异，同时还探讨了理想的拓扑结构和性能评估参数。
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