GaN氮化镓器件与SiC碳化硅器件在800V高压电驱逆变器中的选型对比与栅极驱动保护
汽车800V高压平台下，主驱逆变器究竟是上1200V SiC MOSFET，还是等待高耐压GaN成熟？我们在双脉冲测试（Double Pulse Test）台上对比了Wolfspeed的C3M系列SiC和Navitas的GaN。 SiC的短路耐受时间（SCWT）有2~3us，而GaN一旦直通几乎在几十纳秒内炸管。大家在
第三代宽禁带半导体高频功率转换 · 共 3 篇内容
# 氮化镓
氮化镓（GaN）具备高电子迁移率与零反向恢复电荷特性，允许开关电源工作在数百 kHz 至 MHz 级高频，显著缩小变压器与母线电容体积。已在大功率 PD 快充、数据中心服务器钛金级 PSU、激光雷达窄脉冲驱动与光伏微型逆变器中大规模商用。
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GaN氮化镓器件高频开关下，驱动回路寄生电感引起门极过冲击穿的抑制方案
【问题与背景描述】 近期在推进一款工程方案设计时遇到关于 GaN氮化镓器件高频开关下，驱动回路寄生电感引起门极过冲击穿的抑制方案 的技术难点。 在样机测试与调试过程中，我们实测抓取了关键节点的波形，并对比了芯片官方手册（Datasheet）中给出的参考典型应用电路。 目前有几个疑问想向论坛的前辈与原厂技术支持请教： 1
GaN氮化镓器件高频开关下，驱动回路寄生电感引起门极过冲击穿的抑制方案
【问题与背景描述】 近期在推进一款工程方案设计时遇到关于 GaN氮化镓器件高频开关下，驱动回路寄生电感引起门极过冲击穿的抑制方案 的技术难点。 在样机测试与调试过程中，我们实测抓取了关键节点的波形，并对比了芯片官方手册（Datasheet）中给出的参考典型应用电路。 目前有几个疑问想向论坛的前辈与原厂技术支持请教： 1