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安森美（onsemi）推出行业首款网页端工具，实现栅极驱动器和电源开关的智能配对。Elite Pairing Studio智能配对工具能够推荐我们的EliteSiC MOSFET和栅极驱动器的最佳匹配方案，在几秒钟内评估所有栅极驱动器，决策速度提升10倍，实现更高性能的电源设计。 Elite Pairing Studio智能配对工具，快速完成安森美SiC MOSFET和栅极驱动器多个组合的评估，
变压器噪声来源解析 在隔离式开关电源转换器中，电源变压器通常是共模噪声的主要来源。为什么？因为在变压器内部，处于隔离屏障两侧的原边绕组与副边绕组间距极小（通常不足 1 毫米），这使得相邻绕组间产生了明显的寄生电容。 这些绕组上所呈现的电压，往往包含比较高的交流分量。以 图 1 中的反激式转换器为例，原边绕组连接至原边开关的漏极，此漏极的电压波形在多个频段呈现高交流分量。该交流电压会借助寄生电容，从
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第二篇，将介绍三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案 SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点 S