决策提速10倍！Elite Pairing Studio 解锁SiC MOSFET与驱动器的最佳匹配方案

安森美（onsemi）推出行业首款网页端工具，实现栅极驱动器和电源开关的智能配对。Elite Pairing Studio智能配对工具能够推荐我们的EliteSiC MOSFET和栅极驱动器的最佳匹配方案，在几秒钟内评估所有栅极驱动器，决策速度提升10倍，实现更高性能的电源设计。

Elite Pairing Studio智能配对工具，快速完成安森美SiC MOSFET和栅极驱动器多个组合的评估，比单独评估的速度提升10倍。

用户指南

用户指南讲解如何高效利用Elite Pairing Studio快速对多个EliteSiC MOSFET 和栅极驱动器组合进行评估。

应用说明

Elite Pairing Studio可分析SiC MOSFET驱动器的兼容性，为精确的电源设计决策提供指导。

碳化硅MOSFET

SiC MOSFET具有高速坚固耐用的特性，实现高效率、减小系统尺寸和成本等系统优势。

栅极驱动器

栅极驱动器将控制信号连接到电源开关。了解我们具有先进功能的隔离和非隔离驱动器产品组合。

智能省心的工作流程

Elite Pairing Studio会根据电气性能为所选器件自动评估每个兼容的栅极驱动器。

选择

根据计算指标（如损耗和时序）以及栅极驱动器属性（包括电源电压范围和价格）对结果进行排序，以数据为基础即时生成筛选后的清单，省去手动比对数据表的冗繁过程。

仿真

在仿真环节中，Elite Pairing Studio利用安森美基于物理的SPICE模型，为选定的MOSFET和栅极驱动器组合生成详细的开关波形。工程师可以即刻看到这一组合在实际工作条件下的表现。

分析

最后，Elite Pairing Studio将对仿真结果进行整合，对每个栅极驱动器与配对的SiC MOSFET的性能进行清晰的比较。工程师可以获得以数据为基石的设计洞见，更加便捷地筛选出最适合其设计的解决方案。

Elite Pairing Studio智能配对工具FAQ

Q1: Elite Pairing Studio是什么？

业内首款网页端工具，用于识别、仿真和分析与安森美SiC MOSFET兼容的栅极驱动器。

Q2: 这个工具如何确定组合中的栅极驱动器？

结合器件电气参数如栅极电荷、驱动强度、开关特性和安全运行边界等对组合进行计算。

Q3: 模拟是否基于真实设备模型？

是的。该工具采用了安森美经过物理验证的 SiC MOSFET SPICE 模型和栅极驱动器行为模型，以反映器件在典型工作条件下的真实行为。

Q4: 运行条件是否可以调整？

总线电压、栅极电阻和负载条件等关键参数均可以调整，以观察它们对开关性能的影响。

Q5: 这款工具是否需要安装？

无需安装。Elite Pairing Studio能够在浏览器中运行，是安森美设计工具生态系统的一部分。

Q6: 这款工具仅可用于碳化硅MOSFET吗？

这一工具的工作流程主要针对碳化硅MOSFET和栅极驱动器的配对。在不久的将来还将支持其他器件系列，如硅MOSFET 和IGBT。

Q7: 这款工具如何加快设计周期？

通过自动进行器件组合检查、即时生成波形和整合分析，Elite Pairing Studio减少了手动检查数据表和仿真设置时间。

Q8: 哪些参数会影响“选择”步骤中驱动器的排名？

排名基于电气组合、开关性能、驱动能力以及在典型运行条件下的预期效率。

Q9: 我的操作和成果对其他用户可见吗？

通过MyON账户登录后使用Elite Pairing Studio，只有您才能查看您自己的成果。

Q10: 我的工作成果可以保存吗？

可以，仅在您完成仿真后，Elite Pairing Studio将保存您的工作。