工程名称：铁电U盘 · USB FRAM DISK
前言
据说，这个U盘能做到——永久**存储、无限擦写、零延迟写入、还抗辐射？**
这4个特点，代表了这个U盘能：
——“永远”不坏
——且每次打开，储存的资料都在
而且做一个这样的U盘只花10元？！
所以……它咋做到的？真能做到？
先瞅瞅它的电路设计和硬件参数！
*0***1
设计图
”
电路部分，作者只用了一颗主控+一颗FRAM。
原理图
PCB图
它的硬件参数如下：
-
主控：CH331A
-
存储：FM24V10-GTR
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防护：USBLC6-2SC6，ESD保护，防静电损坏
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电源：AMS1117-3.3V，降压稳压
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容量：128KB (1Mbit)，适合存重要密钥/证书、工业设备数据日志、航天/军工存储
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接口：USB 2.0，够用，反正容量小
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擦写寿命：10¹⁴次
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数据保持：151年@60℃
-
写入速度：I²C限制，约50KB/s
好的，现在我们可以逐一分析……
*0***2
它咋做到这4大优势的？
”
这是作者原文提供的4大优势详细说明：
01
首先，我们说说永久储存
作者声称：U盘在60℃下能断电保存资料151年
这U盘真能做到？
先说结论：真能做到，事实上室温下的储存能力，确实称得上是超长保持……
为什么？
我们来看一**组**数据保持时间公式：
实际寿命 ∝ 1 / (温度系数)
因此，根据产品数据首次，得出：
-
在60℃ 左右时，数据可保存151年
-
在 25℃室温时，储存数据能力甚至可达数百年
-
只有是在工业温度的上限——在85℃时，储存时间才大大下降至10-20年
02
无限擦写
作者声称：U盘能经历100万亿次（10¹⁴次）读写。也就是说，普通U盘，每天写100次，几个月可能就挂，这个U盘的技术，铁电U盘：每天写100次，几亿年才坏
这U盘真能做到吗？
先说结论：对人类使用场景来说，真能做到
为什么？
根据下述数据，即使你每秒都读写数据、删掉再写满，也需要3000多年才能写坏：
03
零延迟写入
作者原话：U盘可直接写入数据，无需擦除操作。加上内存够小，就算写满也会有接近0延迟的体验。速度瓶颈只在于 I2C 总线
这里直接说结论：是的！
为什么？
FRAM写入延迟的确可达150ns，快到可以视为零延迟。但作者使用的I²C总线是400kHz，每字节耗时约22.5μs，比FRAM本身慢了150倍。虽然单字节写入，的确也称得上0延迟，但写满整个U盘还是需要读秒的。
PS：如果想追求更快的写入速度，可更换1MHz甚至3.4MHz的I²C总线，速度可再提升5-8倍。
04
抗辐射
作者原话：把数据"刻"进晶体，哪怕是宇宙射线、电磁干扰也能做到免疫
结论：的确能做到
为什么？
因为传统的Flash/SSD储存，是靠浮栅电荷存储，如果有辐射就会打飞电子导致数据丢失。
而本项目使用FRAM的方案，它靠晶格极化方向储存，相当于把数据刻进晶体，辐射可无法改变晶格结构，因此，也就达到了防辐射的效果。这也是为什么，FRAM技术常见于航天器、核电站、医疗设备等高辐射环境的原因。的确靠谱！
*0***3
结语
”
FRAM方案做U盘，有点“冷门”，反正小编确实也是第一次了解。
了解到后期，其实小编有点感慨……
大家都知道，主流U盘用的是Flash的方案。这好啊，便宜、容量还大、日常完全够用了。
那为啥还会有FRAM方案的出现呢？
因为总有那么一群人，他们的场景不一样——航天器上的数据、核电站的日志、医疗设备的关键记录……
这些地方，"够用"是不够的，"绝不丢数据"才是目的。
于是他们就开始琢磨，开始研究。于是这样一颗128KB的U盘出现了——容量小到容易被嫌弃，但又足够可靠。
或许这篇文章的价值，不仅停留在开源项目的推荐，而在于展示一种思维方式
——当你有一个极端需求时，如何跳出主流方案，找到那个"小众但刚好解决问题"的东西。
FRAM不是唯一答案，但它是"我绝不允许数据丢失"这个目标带来的钻研精神的具象化。
AI可以写代码、可以分析电路、甚至可以告诉你"FRAM比Flash更适合这个场景"。但AI不会在深夜为了一个0.01%的故障率翻几小时数据手册，不会因为"万一出问题怎么办"而选择一条更难的路。
那种"铆足劲折腾"的钻研精神，是人类独有的。
所以，AI怎么能超越/替代人类呢？
最后，如果你想复刻，也想“钻研”？ 这个项目的原文有详细的使用指南，包含仿真模式配置、具体引脚设置、格式化方法，详见下一章节的指引前往原文了解
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开源网址
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