氮化镓之撸起袖子驱动GaN
上篇文章(参考阅读:氮化镓增强型GaN晶体管结构简介)已经就GIT电流型和SG电压型氮化镓晶体管的内部构造和工作原理进行了介绍,在此基础上,本篇将继续介绍其对应驱动电路的设计。 GIT电流型 GaN 晶体管的驱动电路 GIT型和SG型两种增强型的GaN器件的栅极电荷都远低于Si基的器件,一般用来驱动标准MOS管的门极驱动芯片都足够用来驱动GaN晶体管。但值得注意的是,增强型氮化镓的VGS(TH)阈
关于「Infineon」的技术文章、设计资料与工程师讨论,持续更新。
上篇文章(参考阅读:氮化镓增强型GaN晶体管结构简介)已经就GIT电流型和SG电压型氮化镓晶体管的内部构造和工作原理进行了介绍,在此基础上,本篇将继续介绍其对应驱动电路的设计。 GIT电流型 GaN 晶体管的驱动电路 GIT型和SG型两种增强型的GaN器件的栅极电荷都远低于Si基的器件,一般用来驱动标准MOS管的门极驱动芯片都足够用来驱动GaN晶体管。但值得注意的是,增强型氮化镓的VGS(TH)阈
随着数据中心AI负载所需功率的快速增加,服务器的供电架构也随之发展。当前每个机架包含供电单元PSU、备用电源BBU及AI负载等,单相PSU的功率也逐步从3.3kW提升至12kW。然而当机架功率水平超过250kW时,供电电源正转向采用专用机架(即sidecar)进行供电和备电配置,并逐步过渡到三相交流供电模式。最后,随着机架功率水平的持续提升,数据中心预将采用基于固态变压器(SST)的完全集中式高压
本文介绍了电源领域硅、碳化硅、氮化镓三类主流功率半导体材料的核心性能参数、技术特性与适配场景,梳理了不同材料的优势与应用边界,同时针对性给出了碳化硅与氮化镓在功率电路设计中的关键注意事项及核心设计要点,指出其演进方向,即为全球能源转型与碳中和目标下的电力电子技术革新筑牢基础。 随着全球对高效能电源转换技术的需求不断提升,半导体材料在电源领域的应用日益重要。从传统的硅(Si)功率元器件,到近年来快速
随着AI算力需求持续增长,智算中心正加速向高功率、高密度、高能效演进,供配电系统也迎来全新变革。IPAC技术应用大会首次聚焦“固态变配技术赋能智算电力基建”专题,将于2026年8月25日在深圳举行IPAC 2026固态变配——英飞凌智算电力基建应用技术大会,携手行业专家、生态伙伴及高校学者,共同探索下一代智算电力基础设施的发展方向。 三大亮点抢先看 亮点一:首次聚焦固态变配技术专题 近年来,AI
Infineon TRENCHSTOP™ IGBT7 单管产品目前已形成完善的产品矩阵,涵盖650V、750V、1200V三种主流电压等级。基于不同应用场景的需求,产品系列分为T7、S7、H7三大系列,封装形式包含DTO在内共计6种,全系列累计推出56款产品,可实现对前代多数单管产品的兼容替换。 为保障产品稳定性与产品一致性,IGBT7系列单管所采用的IGBT芯片,均依托奥地利菲拉赫和德国德累斯
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司已开始量产RASIC™ CTRX8188F。这款新一代8发8收(8Tx8Rx)雷达收发器使英飞凌在快速扩张的汽车4D与高清成像雷达市场中处于领先地位。该产品已完成量产准备,搭配AURIX™ TC45可支持边缘处理,是市场上首款支持中央式架构雷达的单片微波集成电路(MMIC)。中央式架构雷达系统采用了一种新兴设计方案,即将原始传感器数据直接传输
引言 笔者目前是一名刚入门车载软件的新人,最近在接触车载以太网、SOME/IP 和 AUTOSAR CP 相关内容,之前对以太网更多停留在基础概念层面,例如 MAC、IP、TCP/UDP、报文收发流程等,也了解过一些简单的以太网协议栈框架。 对于 AUTOSAR CP,还只是听说过。刚开始学习 SOME/IP 时,最直观的感受是它并不只是“跑在 UDP/TCP 上的一种应用层报文”,而是和服务接
图源:Freepik 在太阳能、风能和储能系统中,DC/AC逆变器被称为系统的“心脏”。它负责将太阳能电池板、风力发电机或电池储能系统产生的直流电(DC)高效转换为电网和家用电器可以直接使用的交流电(AC)。 Research and Markets的研究表明,2023年全球太阳能逆变器市场价值为128.1亿美元,2024-2029年期间,市场将以11.34%的复合年增长率增长,预计到2029年
新品 用于中压驱动与电机控制的 IGBT 7 EconoPACK™ 3模块 EconoPACK™ 3 1700V TRENCHSTOP™ IGBT7模块为中压驱动与电机控制提供业界领先的性能。该模块采用发射极控制EC7二极管,集成整流器与NTC温度传感器,并配备绝缘基板,具备卓越的可靠性与稳定的供应保障。 产品型号: ■F4-75R17N3E7_B58 产品框图 产品特性 VCES\=1700
英飞凌科技股份公司**推出了专为纯电动汽车(BEV)牵引逆变器设计的全新增强型隔离式栅极驱动IC产品系列**:EiceDRIVER™ 1EDI3040AS和1EDI3041AS。该系列同时支持IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET,相比市面上常见的解决方案,可让特定功率级释放出更多可用性能,并将丰富的功能集成于单个栅极驱动IC之中。这有助于整车厂(OEM)和一级供应商(Tier-1)减少所需的外部
今天来拆解一个来自零差云控的eRob70型机器人关机电机模块,主要看看上面的无刷电机驱动电路。 先简单说一下,这个关节支持EtherCAT、支持CANOpen、Modbus通信,开放位置环、速度环、电流环数据以及PID实时调节,电机功率可以做到100W,整个电机的尺寸只有直径70mm,长度67mm,重量为0.93kg。 端盖上放置了所有的供电、通信接口,两个XT30供电口,旁边还带了一个锁扣。供
更高效率、更小体积、更快响应、更强可靠性——电机控制与电源系统的下一轮升级,正在从器件选型走向系统级创新。 面对工业伺服、机器人关节、智能设备等应用场景不断提升的性能需求,如何在有限空间内释放更强动力?如何借助MCU、GaN功率器件与高精度位置反馈方案,打造更高效、更紧凑、更可靠的系统设计? 2026英飞凌高效电机&电源方案技术日将于2026年6月5日在上海举办。英飞凌将携手代理商合作伙伴
近70年来,单向功率开关(UDS)一直是所有功率电子应用(包括双向功率变换系统)的主流器件。几十年来,UDS技术不断革新,基于UDS开关的设计已能够轻松实现超过95%的效率。然而,高效化与高功率密度为行业的持续追求。减少板卡上的器件数量,是提升效率的一种较为直接的方式,这可以缩小PCB尺寸,进而提高功率密度。在需要实现双向电压阻断的应用中,UDS便体现出其局限性,导致需要采用背靠背(B2B)开关
技术日新月异,我们每天都走在创新的路上,获取前沿的领域知识,并转化为自己的成果,创造出更适合用户的产品。在这一路上,贸泽电子始终会伴你左右,并随时提供新的采购情报,希望借此能为你带来更多创新和灵感。以下是本周新品情报,请及时查收: 工业物联网远程监控 贸泽电子开售Digi International (Digi) 新款Digi Connect® Sensor XRT-M该产品是一款坚固耐用的电池供
随着电动汽车与储能产业高速增长,行业对高寿命、高效率、高功率密度的功率器件需求愈发迫切。英飞凌全新推出采用.XT 扩散焊技术与1200V CoolSiC™ MOSFET G2 的 Easy C 系列功率模块,精准攻克充电与储能系统功率循环、宽温运行、热管理等核心挑战。 该模块功率循环能力较上一代提升 20 倍,系统效率最高提升 0.5%,工作温度可达 175℃,过载耐受 200℃。搭配大电流 Pr
NEWS MarketsandMarkets最新分析报告预计,全球数据中心半导体市场规模将从2024年的868亿美元增长至2029年的2658亿美元,2024-2029年复合年增长率(CAGR)达25.1%。 市场增长的核心驱动因素包括:AI及生成式AI工作负载的快速扩张、超大规模云服务商的投入加码、高性能计算与加速处理器需求攀升、高带宽内存(HBM)等先进存储技术的普及,以及现代云数据中心基础
多种解决方案组合 STM32 32位微控制器基于Arm® Cortex®-M内核(M0、M0+、M3、M4和M7),融合了高性能、实时处理能力、数字信号处理功能以及低功耗、低电压运行特性。其可扩展的设计使电子设计工程师能够轻松在能效、计算性能、安全性和外设范围之间为其系统选择合适的权衡方案。该系列产品涵盖高性能型号(如STM32N6 MCU)、超低功耗型号(如STM32U3 MCU)以及多协议无线
在全球能源转型浪潮的推动下,可再生能源扮演的角色越来越重要,由此也拉动着光伏、储能和电动汽车充电桩等新兴功率电子应用的长足发展。 以全球太阳能逆变器及储能系统市场为例,根据市场研究机构Omdia的预测,该市场规模预计将从2024年的约14亿美元,增长至2029年的约27亿美元,年复合增长率高达10.6%。 在这样的大趋势下,作为可再生能源支柱性要素的功率半导体技术,也迎来了新一轮的发展机遇。当然,
2026年4月17日,北京——作为国内领先的电子技术门户与工程师社区,21ic电子网今日正式公布“21ic 2026年度MCU产品奖”评选结果。本次评选聚焦MCU在“应用定义芯片”时代的垂直技术突破与行业贡献,不设单一“最佳产品奖”,而是根据底层技术演进与应用长板,划分为多个专业赛道,旨在为广大设计工程师提供权威、实用的选型参考。 本次评选严格考察产品的量化参数(如主频、功耗、环路延迟、采样精度等
工程名称:铁电U盘 · USB FRAM DISK 前言 据说,这个U盘能做到——永久**存储、无限擦写、零延迟写入、还抗辐射?** 这4个特点,代表了这个U盘能: ——“永远”不坏 ——且每次打开,储存的资料都在 而且做一个这样的U盘只花10元?! 所以……它咋做到的?真能做到? 先瞅瞅它的电路设计和硬件参数! *0***1 设计图 ” 电路部分,作者只用了一颗主控+一颗FRAM。 原理图