英飞凌携手SoluM开发AI数据中心HVDC电源方案

随着生成式AI与大模型训练推动算力需求呈现指数级增长，AI服务器已成为数据中心能耗的核心来源。据测算，2025年全球数据中心总用电量中人工智能业务占比将从2%飙升至 10%，并且引发全球对数据中心高耗能需求的口诛笔伐。优化AI服务器的功耗表现已经成为全球服务器产业关注的新焦点，在传统的加速卡和处理硬件的功耗日渐增大的前提下，传统交流供电架构的冗余转换损耗、功率密度瓶颈已难以适配GW级智算中心发展需

在氮化镓（GaN）功率器件的选择上，工程师们常常面临一个核心问题：增强型（E-mode）还是耗尽型（D-mode）？两种技术路径，哪一种才能真正为系统带来最佳性能、可靠性与成本优势？ 作为全球领先的功率半导体供应商，英飞凌深耕GaN技术多年，推出了基于栅极注入晶体管（GIT）技术的CoolGaN™增强型产品系列。今天，我们将通过深入的技术对比，为您揭示增强型GaN为何成为现代功率电子设计的更优选择

英飞凌推出OptiMOS 7 40V开关优化功率MOSFET，面向AI服务器、数据中心和电信基础设施。器件适用于高频DC-DC转换，降低导通与开关损耗，帮助空间受限系统提升效率和功率密度。

英飞凌 HiRel 推出抗辐射单通道 GaN 栅极驱动器 RIC70115，集成 LDO，可从 4.75 V 至 15 V 输入生成 4.8 V 驱动电压，减少外部器件，提升航天电源系统效率、功率密度与可靠性。

光伏系统在降低碳排放、提升电网可再生能源占比方面发挥着重要作用。在组串式光伏逆变器应用中，功率密度与系统效率不断提高的需求，持续推动着功率半导体器件的进步，英飞凌全新EasyHD3系列产品正是为了实现更高功率密度和更高效率的目标而推出的重磅产品。  直播主题： 英飞凌面向大功率组串式光伏的 EasyHD3产品与应用 直播时间： 2026年4月28日 14:00 直播亮点 EasyHD3 封装首发解

美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌300mm GaN技术 Johannes Schoiswohl 英飞凌科技高级副总裁、 氮化镓系统业务线负责人

2026年5月8日，英飞凌发布声明称，美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会近日的最终裁决维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌表示，该裁决是又一项积极的结果，进一步彰显了英飞凌在氮化镓技

光伏系统在降低碳排放、提升电网可再生能源占比方面发挥着重要作用。在组串式光伏逆变器应用中，功率密度与系统效率不断提高的需求，持续推动着功率半导体器件的进步，英飞凌全新EasyHD3系列产品正是为了实现更高功率密度和更高效率的目标而推出的重磅产品。 2026年4月28日，IPAC直播间将为您介绍英飞凌面向组串式光伏的全新EasyHD3系列产品。请大家锁定频道，赶紧报名哦！ 直播主题：英飞凌面向大功率

安森美通过碳化硅（SiC）器件的性能突破与拓扑优化，提升了储能逆变器在效率、成本与适应性方面的表现，并为AI数据中心等高能耗场景提供了高效解决方案。

全球功率半导体市场正经历新一轮供需震荡。 今年年初以来，英飞凌、德州仪器、安森美、意法半导体等龙头企业密集宣布涨价。市场分析认为，由于各地成熟制程产能纷纷满载，产能紧张状况在下半年恐只增不减。 5月7日，研究机构TrendForce集邦咨询发布的报告显示，由于台积电、三星持续削减八英寸成熟制程产能，全球八英寸产能至2027年上半年将维持负增长；而在需求端，AI服务器对电源管理、功率芯片需求正持续走

2026年4月10日，北交所功率半导体部件“第一股”赛英电子正式挂牌，上市首日股价大涨120%，截止笔者发稿，股价涨至70元，总市值攀升至30亿元，资本市场的热度印证了其在细分领域的稀缺价值。 成立于2002年的赛英电子，深耕功率半导体器件关键部件领域二十余年，以陶瓷管壳和封装散热基板为核心主业，产品广泛应用于特高压、新能源汽车等高端领域，凭借稳定的产品实力与头部客户资源，在国产功率半导体产业链

向 “芯” 而行 南航阮新波教授团队 赴芯朋微共探电源架构创新与集成 南京航空航天大学到访芯朋 2026 年 3 月 13 日，南京航空航天大学阮新波教授率领师生代表团到访芯朋微电子，围绕 “电源架构创新与集成” 开展交流研讨，聚焦开关变换器软开关控制技术、功率ALL-IN-ONE集成技术、微电子与电力电子学科交叉研究等关键方向，共话电源架构领域的创新发展与合作共赢。 01 产学研合作 技术突破

4月15日，东南大学电子科学与工程学院举行“微·电生涯沙龙——走近芯朋微电子”主题活动。芯朋微电子与东南大学围绕人才培养、技术创新、竞赛实践和校企交流展开深度联动，通过捐赠仪式、竞赛启动、招聘宣讲、技术培训及文体互动等多元环节，进一步推动产教融合走深走实，为微电子领域高质量人才培养注入新动能。 青春献礼 · 砥砺奋进 此次，芯朋微向东南大学捐赠“芯朋微学生活动基金”。该基金将重点支持“电子芯朋杯”

近日，英飞凌科技与思格新能源（上海）股份有限公司正式宣布深化合作，双方将基于英飞凌最新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，共同为思格新能源户用光伏储能逆变器解决方案提供核心性能支撑，以技术创新驱动户用光储领域能效升级。 在全球户用光储市场，高能效与高可靠性始终是衡量系统性能的核心标准。思格新能源凭借前瞻性技术布局，通过深度集成英飞凌新一代 1200V CoolS

自2014年首届举办以来，IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会已走过十二载征程。我们始终以“驱动工业低碳转型”为使命，深耕零碳技术领域，累计吸引上万名行业精英、专家学者及企业代表参与，成为业内最具影响力的标杆盛会。 2026年，IPAC大会全面升级， 开启双技术峰会新篇章！ 为进一步聚焦零碳技术前沿，英飞凌将于2026年首次推出两大主题技术大会，诚邀您共襄盛举： 英飞凌碳化硅零碳应用技术大会 📅 时

英飞凌PSOC™ 4系列MCU的一大“杀手锏”，就是其片内集成的先进触摸感应模块——CapSense / MultiSense。从车内的中控面板、按键、旋钮，到方向盘的离手检测、座椅占位识别、液位监测……它正在越来越多的智能化场景中发挥关键作用。 然而，在实际开发中，你是否也遇到过这些难题？ 温度、湿度、电磁噪声……环境一变，触摸就不灵了？ 调试工具怎么用才高效？ 客户要求越来越高，开

IPAC 2026双技术峰会报名持续火爆！ 为感谢每一位支持者的信任，我们在5月22日IPAC碳化硅零碳应用技术大会现场准备了三重惊喜好礼！ IPAC碳化硅零碳应用技术大会 📅 时间：2026年5月22日 📍 地点：深圳 第一重好礼 全新升级SiC可靠性白皮书（纸质完整版） 英飞凌最新发布全新升级版 SiC 可靠性白皮书，系统性梳理 SiC MOSFET 可靠性的核心要点和应对之策。内容全面解析

上篇文章（参考阅读：氮化镓增强型GaN晶体管结构简介）已经就GIT电流型和SG电压型氮化镓晶体管的内部构造和工作原理进行了介绍，在此基础上，本篇将继续介绍其对应驱动电路的设计。 GIT电流型 GaN 晶体管的驱动电路 GIT型和SG型两种增强型的GaN器件的栅极电荷都远低于Si基的器件，一般用来驱动标准MOS管的门极驱动芯片都足够用来驱动GaN晶体管。但值得注意的是，增强型氮化镓的VGS(TH)阈

近年来数据中心功耗持续上升，迫切需要提升服务器电源效率并降低损耗，为此东芝开发了采用适用于服务器的1kW ITTF AC-DC转换器的高效服务器电源参考设计，该参考设计在230V输入电压时，能效超越80 PLUS铂金级标准。 该参考设计整体包含图腾柱PFC电路、ITTF DC-DC转换器电路以及ORing电路： · 其中图腾柱PFC电路高频开关元件采用SiC MOSFET TW107Z65C，低频

2025年12月10日至11日，由中国家用电器研究院主办的2025**中国家电科技年会（ASTC 2025）**在湖北武汉成功召开。本届年会以“AI+”为主题，积极响应国家“人工智能+”行动计划，旨在推动家电行业从研发到制造、从核心部件到应用场景的全方位智能化转型，助力发展新质生产力。年会上，芯片作为驱动智能家电升级的核心力量成为中心议题。它不仅是实现家电智能化与绿色化的“神经中枢”，更是保障整个