英飞凌两款宽禁带新品发布：CoolSiC™ 与CoolGaN™ 同步上新

2026-05-21 11:29 来源：英飞凌官微芯片新品 58 次阅读

摘要：英飞凌推出全新XHP™ 2 CoolSiC™高功率模块，显著提升高压能源系统的效率与功率密度全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出采用2300V CoolSiC™ MOSFET的新型XHP™2功率模块产品，进一步扩展了该产品组合。该模块专为高压电力系统设计，最高支持1500V直流母线电压，契合行业向更高系统电压发展的趋势。该模块还提供多种规格，导通电阻（RDS(on)）在1

英飞凌推出全新XHP™ 2 CoolSiC™高功率模块，显著提升高压能源系统的效率与功率密度

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出采用2300V CoolSiC™ MOSFET的新型XHP™2功率模块产品，进一步扩展了该产品组合。该模块专为高压电力系统设计，最高支持1500V直流母线电压，契合行业向更高系统电压发展的趋势。该模块还提供多种规格，导通电阻（RDS(on)）在1mΩ至2mΩ之间，绝缘电压为4kV或6kV。与传统硅基解决方案相比，这款新产品采用碳化硅（SiC）技术，显著降低了开关损耗与导通损耗，从而使逆变器实现更高效率和更高功率密度，或以更高开关频率运行以降低谐波并缩小系统尺寸。全新XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET模块适用于可再生能源领域，包括风电、光伏及电池储能系统等应用。

英飞凌推出采用2300V CoolSiC™ MOSFET的新型XHP™2功率模块产品，进一步扩展了该产品组合

这些模块采用XHP™ 2封装，具有对称开关特性，便于在大功率转换器中实现并联，并提供一个标准化平台，使开发人员能够根据应用要求平衡效率和性能。所有型号均采用英飞凌成熟的.XT互连技术，具备更高的可靠性，以及更长的器件使用寿命；同时，模块还提供预涂导热界面材料版本，在简化组装过程的同时保障稳定的散热性能。

这些特性带来了可观的系统级优势。在风电演示系统中，实现了300 kW/L的功率密度；而在电池储能系统测试中，半导体的低损耗可以使系统的功率输出效率提高到99.3%。英飞凌通过此次产品组合扩展，为可再生能源应用领域的下一代高压电力系统提供了丰富的产品解决方案。

供货情况

2300V XHP™ 2 CoolSiC™MOSFET模块包含👉FF1000UXTR23T2M1、👉FF1300UXTR23T2M1、👉FF2000UXTR23T2M1和👉FF1000UXTR23T2M1_B5。这些产品现可通过英飞凌及其分销商获取。

更多信息，👉点击此处敬请访问。

英飞凌CoolGaN™ BDS 40 V G3产品系列专为便携式电源而设计，最多可缩减82%的占板面积

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司进一步扩展了其CoolGaN™ BDS 40 V G3双向开关（BDS）系列，推出了两款新产品：IGK048B041S和IGK120B041S。这两款新产品最多可将PCB占板面积缩减‌82%，并减少一半元器件数量。对于在现代智能手机、笔记本电脑和可穿戴设备等空间高度受限的应用中进行设计的工程师而言，这是一次显著且可量化的进步。新产品专为紧凑型消费类设备打造，为电源系统设计师提供了更大的灵活性，在不影响性能的前提下提高效率并简化设计。

英飞凌CoolGaN™ BDS 40 V G3产品系列

Johannes Schoiswohl

英飞凌科技氮化镓业务线负责人

如今消费类设备尺寸持续缩小，但对电力的需求却日益提高。这使得工程师面临着在更小空间内实现更强电力输出的巨大压力。英飞凌全新的CoolGaN™ BDS应运而生。它将两个背对背硅MOSFET的功能集成于单颗元件中，使元件使用数量减少了一半，从而大大简化了PCB布局。设计团队可直接沿用现有驱动方案，避免成本高昂的重新设计并加快产品面市速度，实现更加精简、更具成本效益的电源路径。

双向开关（BDS）与其他氮化镓设备一样，兼容5 V栅极驱动。IGK048B041S和IGK120B041S分别采用2.1 x 2.1 mm²和1.7 x 1.2 mm² WLCSP的芯片级封装，专为智能手机、笔记本电脑和可穿戴设备等空间高度受限的应用而设计。尺寸较大的 IGK048B041S实现了‌4.2 mΩ的导通电阻（RDS(on)），而尺寸较小的IGK120B041S导通电阻则为‌9 mΩ‌。CoolGaN™ BDS设备具有出色的开关性能和漏电性能。其栅极电荷比性能相当的其他产品低约‌40%‌，可实现更快的开关转换速度、更低的开关损耗，以及在快充应用中更高的系统效率。此外，其双漏极间关断漏电流比市面其他设备低‌85%以上‌，凸显GaN技术在漏电控制上的天然优势。上述特性综合作用，能有效降低系统升温，提升长期可靠性，并帮助制造商满足日益严苛的安全要求。

与依赖体二极管（可能导致意外电流流动）的硅MOSFET不同，👉CoolGaN™ BDS器件可实现双向电压和电流阻断。这种真正有效的双向阻断能力对于智能手机和便携式设备中的USB过压保护等应用至关重要，它们可以防止意外反向电流，保护敏感的下游组件。CoolGaN™ BDS器件同样非常适合用于多轨电源架构中的负载开关和电源多路复用功能，此类应用需要精确控制多条供电轨之间的电流方向。

随着IGK048B041S和IGK120B041S的发布，再加上此前发布的IGK080B041S，英飞凌CoolGaN™ BDS 40 V G3系列现包括三款器件，全面覆盖从紧凑型可穿戴设备到高性能笔记本电脑的完整移动电源开关需求谱系。

英飞凌拥有强大的产品组合，在过去一年中推出了40余款GaN新产品‌，是客户在选择高质量GaN解决方案时的优先合作伙伴。公司正稳步推进基于‌300毫米晶圆的可扩展GaN制造‌，首批样品已向客户交付。该工艺平台显著提升了生产产能并加快了高品质GaN产品的交付速度，进一步巩固了英飞凌在GaN市场的领导地位。

供货情况

IGK048B041S和IGK120B041S现已通过英飞凌‌授权分销渠道‌供货。详细的产品信息、‌数据手册‌及‌采购选项‌，可👉访问此处获取。