光伏系统在降低碳排放、提升电网可再生能源占比方面发挥着重要作用。在组串式光伏逆变器应用中，功率密度与系统效率不断提高的需求，持续推动着功率半导体器件的进步，英飞凌全新EasyHD3系列产品正是为了实现更高功率密度和更高效率的目标而推出的重磅产品。
2026年4月28日，IPAC直播间将为您介绍英飞凌面向组串式光伏的全新EasyHD3系列产品。请大家锁定频道，赶紧报名哦！
直播主题：英飞凌面向大功率组串式光伏的
EasyHD3产品与应用直播时间：2026年4月28日 14:00🕑
直播亮点
EasyHD3封装首发解析，组串光伏方案详解：英飞凌EasyHD3封装产品及组串光伏模块方案详细介绍
混碳三电平测试，专业方案全面分享：混碳三电平升压模块测试方式及建议
核心芯片特性解析，开关性能深度解读：升压及逆变模块H7，T8，EC7r芯片开关特性
实战应用案例拆解，落地经验干货分享：产品应用案例解析
直播嘉宾
英飞凌科技应用工程师——孙辉波
IPAC常驻主持人
英飞凌科技应用工程师——侯增全
英飞凌技术测试专家
光伏系统在降低碳排放、提升电网可再生能源占比方面发挥着重要作用。在组串式光伏逆变器应用中，功率密度与系统效率不断提高的需求，持续推动着功率半导体器件的进步，英飞凌全新EasyHD3系列产品正是为了实现更高功率密度和更高效率的目标而推出的重磅产品。 直播主题： 英飞凌面向大功率组串式光伏的 EasyHD3产品与应用 直播时间： 2026年4月28日 14:00 直播亮点 EasyHD3 封装首发解
随着生成式AI与大模型训练推动算力需求呈现指数级增长，AI服务器已成为数据中心能耗的核心来源。据测算，2025年全球数据中心总用电量中人工智能业务占比将从2%飙升至 10%，并且引发全球对数据中心高耗能需求的口诛笔伐。优化AI服务器的功耗表现已经成为全球服务器产业关注的新焦点，在传统的加速卡和处理硬件的功耗日渐增大的前提下，传统交流供电架构的冗余转换损耗、功率密度瓶颈已难以适配GW级智算中心发展需
2026年4月10日，北交所功率半导体部件“第一股”赛英电子正式挂牌，上市首日股价大涨120%，截止笔者发稿，股价涨至70元，总市值攀升至30亿元，资本市场的热度印证了其在细分领域的稀缺价值。 成立于2002年的赛英电子，深耕功率半导体器件关键部件领域二十余年，以陶瓷管壳和封装散热基板为核心主业，产品广泛应用于特高压、新能源汽车等高端领域，凭借稳定的产品实力与头部客户资源，在国产功率半导体产业链
近日，在“2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”上，闻泰科技凭借在功率半导体领域的卓越领导力与综合产业贡献，荣膺“年度半导体上市公司领航奖（功率半导体）”。这一奖项不仅是对其市场地位与商业成就的肯定，更是对其引领功率半导体技术创新的行业标杆角色的权威认证。 市场领先： 财务稳健，客户基础深厚 闻泰科技在功率半导体市场的领导地位，建立在稳健的财务表现和深厚的客户基础之上。公司半导体业务营收
随着智能手机、笔记本电脑等移动设备功能日益强大，电池容量持续提升，用户对充电器的要求也愈加严苛：更高功率、更小体积、更低成本、更强兼容性，已成为市场不可逆的四大趋势。USB-C 接口的普及，更推动充电器从“专用”走向“通用”，一个充电器，即可为手机、笔记本、甚至工业设备供电，真正实现“一充多用”。 在这一背景下，如何设计出既能满足高效率、高密度要求，又能控制成本、加速上市的充电解决方案，成为系统架
2026年4月14-16日，第四届深圳国际传感器与应用技术展览会（Sensor Shenzhen 2026）在深圳会展中心（福田）圆满落幕。本届展会创历史新高——15,000㎡展示面积、16,000+专业观众到场，英飞凌作为全球物联网领域领导者，携XENSIV™ 传感器与 PSOC™ 微控制器产品及解决方案亮相，在7号馆D105展台吸引众多工程师与行业伙伴驻足交流！ 本次英飞凌展台聚焦机器人、智慧
近日，深圳基本半导体股份有限公司检测中心正式获得中国合格评定国家认可委员会（CNAS）颁发的实验室认可证书（注册号：CNAS L25397）。这标志着检测中心在软硬件设施、技术能力及质量管理体系等方面均已达到国际ISO/IEC 17025标准，所出具检测报告可被全球多个互认协议签署方所承认，将有力提升公司在半导体领域的技术权威性与市场公信力。 基本半导体检测中心是专注于功率半导体领域的综合检测与研
自2014年首届举办以来，IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会已走过十二载征程。我们始终以“驱动工业低碳转型”为使命，深耕零碳技术领域，累计吸引上万名行业精英、专家学者及企业代表参与，成为业内最具影响力的标杆盛会。 2026年，IPAC大会全面升级，开启双技术峰会新篇章！为进一步聚焦零碳技术前沿，英飞凌将于2026年首次推出两大主题技术大会，诚邀您共襄盛举： 英飞凌碳化硅零碳应用技术大会 亮点聚焦：
氮化镓（GaN）性能优异，但客户最常问的是：它能像硅器件一样稳定工作十年以上吗？ 作为全球功率半导体领导者，英飞凌的回答不仅是数据，更是一套贯穿设计、制造、认证与应用的全生命周期质量体系。在近日专题研讨中，英飞凌专家首次系统披露了CoolGaN™背后的可靠性工程。 质量之道：言出必行，零缺陷 英飞凌的质量理念是“言出必行”，承诺零缺陷。这背后是三大支柱： 设计可靠性：基于对氮化镓物理特性的深刻
近日，由英飞凌半导体（Infineon）与RT-Thread联合举办的PSOC™ Edge开发套件Edgi Talk AI实战培训圆满落幕。本次培训在北京、成都、深圳、上海四城巡回展开，活动现场人气爆棚，累计吸引超250位嵌入式开发者、技术工程师踊跃参与。 活动全程干货满满，英飞凌团队深度解读PSOC™ Edge边缘AI芯片的硬核实力，RT-Thread技术团队则手把手指导开发者完成实战开发，共同
01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示： 图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET 图2. 平面栅型MOSFET N+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。 N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。 P-bod
1960年，在江南无线电器材厂 一场跨越世纪的“芯”征程，从此起步 六十五载春秋，风雨兼程 我们加速追赶，实现并跑，奋力领跑 从聚焦一域，到贯通全产业链 从立足一方，到实现两江三地协同 当年那缕微光，已成璀璨星芒 照见来时之路与前行方向 面向“十五五” 华润微电子以六十五年积淀为基 以创新突破为翼 向芯未来全速起航！ 12月26日，华润微电子“六秩五载聚芯力·谋篇‘十五五’向未来”发展报告会在无锡
4月2日，华大半导体旗下上海积塔半导体有限公司成功举办“共创价值、协同增长”2026半导体技术创新研讨会。华大半导体党委书记、董事长孙劼出席会议并讲话，副总经理、积塔半导体总经理杨琨等参加会议。来自汽车电子、具身智能、芯片设计等领域的260余名产业链伙伴齐聚一堂，共探技术前沿，共谋生态协同。 深耕特色工艺 铸就车规标杆 作为华大半导体在特色工艺制造领域的战略支点，积塔半导体始终秉持“积沙成塔
电弧是现代电力系统中一种最危险、带来损失最大的故障情况。从光伏逆变器、储能系统，到AI数据中心配电单元（PDU）以及直流（DC）快充设备，市场正迫切转向在边缘实现高可靠性、低功耗的实时电弧故障检测。 电弧故障可引发火灾、损坏设备并造成严重停机，因此电弧故障断路器（AFCI）的重要性前所未有。传统保护方案在以下场景面临挑战： 高频噪声 宽范围工作电流 复杂负载 多变的环境条件 瑞
喜讯传来！2025年江苏省省长质量奖（提名奖）名单正式揭晓，无锡华润微电子有限公司首次参与申报便成功斩获提名奖殊荣，彰显了公司在质量管理与卓越运营领域的扎实积淀与突出成效。 作为江苏省政府设立的质量领域最高荣誉，江苏省省长质量奖旨在表彰实施卓越绩效管理、取得显著经济效益与社会效益的优秀组织，是推动质量强省建设的重要标杆，其评审严格遵循国家标准GB/T19580《卓越绩效评价准则》等规范。此次斩获
近日，英飞凌科技高级副总裁、大中华区首席财务官齐米乐（Thomas Zimmerle）当选为中国德国商会・华东区新任董事会主席。他将与董事会成员Michael Kern, Anna An, Gregor Koch, Ralph Koppitz, Heiko Laessig, Frank Schulze, Yang Gang博士和Tony Zhang一起，在未来三年内代表中德商业界与相关机构和企业开
在全球能源转型浪潮的推动下，可再生能源扮演的角色越来越重要，由此也拉动着光伏、储能和电动汽车充电桩等新兴功率电子应用的长足发展。 以全球太阳能逆变器及储能系统市场为例，根据市场研究机构Omdia的预测，该市场规模预计将从2024年的约14亿美元，增长至2029年的约27亿美元，年复合增长率高达10.6%。 在这样的大趋势下，作为可再生能源支柱性要素的功率半导体技术，也迎来了新一轮的发展机遇。当然，
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因此，SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。 不管是SiC MOSFET还是IGBT，并联的目标都是实现电流的均匀分布，且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标，我们需要做到三点： 1.并联芯片参
新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin 高爬电距离封装 英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现显著提升，为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能，广泛适用于各类AC
安森美通过碳化硅（SiC）器件的性能突破与拓扑优化，提升了储能逆变器在效率、成本与适应性方面的表现，并为AI数据中心等高能耗场景提供了高效解决方案。
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