英飞凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET，提升AI服务器电源效率与功率密度

长期以来，能源消耗一直是数据中心运营商关注的重要问题，随着AI的兴起，这一挑战变得更加严峻。为了支撑AI工作负荷的爆发式增长，数据中心对电力的需求逐年攀升，因此实现尽可能高的能效至关重要。 英飞凌提出了一项战略，旨在提升从电网到核心的整个能源系**统性能**。本文将重点探讨AI如何推动数据中心架构升级，以及这些变化对服务器和机柜技术带来的影响。具体而言，我们将介绍数据中心通过向48V架构转型以提升

SEMICON China 2026开幕仪式 3月25日，SEMICON China 2026国际半导体展在上海盛大启幕，展览面积逾10万平米，吸引1500家全球展商参与，预计逾18万人次专业观众共襄盛举。 本届展会聚焦三大产业趋势：AI算力持续爆发，2026年全球AI基础设施支出将达4500亿美元；作为AI基础设施核心资源，全球存储产值成为半导体第一增长极；技术驱动产业升级，先进封装战略地位凸显

还在为器件选型、模块自研、研发周期短等问题而头疼？ 东芝半导体线上研讨会重磅来袭，直击服务器电源设计核心痛点，解锁参考设计应用全流程，帮您轻松搞定设计难题。 东芝3kW服务器电源的参考设计介绍 本次研讨会聚焦工程师高频设计困扰，从电路设计、技术特点、使用方法到应用领域全面解析，全面为您介绍东芝参考设计库，并带来服务器3kW电源参考设计分享，结合SiC MOSFET技术亮点，助力提升电源功率密度。

本次研讨会聚焦工程师高频设计困扰，从电路设计、技术特点、使用方法到应用领域全面解析，同时为您介绍东芝参考设计库，并带来服务器3kW电源参考设计分享，结合SiC MOSFET技术亮点，助力提升电源功率密度。 研讨会主题 东芝3kW服务器电源的参考设计介绍 研讨会时间 今日 10:00–12:00 您将学到 直击器件选型、模块自研、器件替代等多项痛点解决方案 东芝参考设计库全面解析 贴片式

近年来数据中心功耗持续上升，迫切需要提升服务器电源效率并降低损耗，为此东芝开发了采用适用于服务器的1kW ITTF AC-DC转换器的高效服务器电源参考设计，该参考设计在230V输入电压时，能效超越80 PLUS铂金级标准。 该参考设计整体包含图腾柱PFC电路、ITTF DC-DC转换器电路以及ORing电路： · 其中图腾柱PFC电路高频开关元件采用SiC MOSFET TW107Z65C，低频

英飞凌向恩菲斯能源供应900V氮化镓双向开关，用于AI数据中心电源系统的固态变压器。双方称CoolGaN为全球首款该电压等级单片GaN双向开关，可提升效率与功率密度。

1200V 62mm IGBT 7半桥模块 英飞凌推出1200V 62mm半桥模块产品扩充，额定电流涵盖450A到800A，采用预涂导热界面材料和共发射极配置。 产品描述： ■FF800R12KE7P ■ FF800R12KE7P_E ■ FF600R12KE7P ■ FF600R12KE7P_E ■ FF450R12KE7P ■ FF450R12KE7P_E 产品特性 最高功率密度 业界领先的

Microchip资讯 News MD-990-0011-B时钟模块重新定义了时钟在变革性市场中的作用，助力客户 在开发任意阶段 无缝集成先进同步功能 随着数据中心与5G网络成为AI驱动创新和数字化转型的核心基石，市场对精准且具弹性的时钟解决方案的需求达到了前所未有的高度。时钟不仅是一项技术要求，更是支撑高性能且可扩展基础设施的战略赋能要素。Microchip Technology Inc.（

据外媒报道，OpenAI首席执行官奥特曼在韩国会见约50名三星高管，讨论AI基础设施与内存供应。三星称重点在于加强合作及AI转型，未宣布新的内存供货协议。当前DRAM供应紧张，数据中心需求持续上升。

SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因此，SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。 不管是SiC MOSFET还是IGBT，并联的目标都是实现电流的均匀分布，且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标，我们需要做到三点： 1.并联芯片参

IPAC 双技术峰会特别邀请到英飞凌与业内权威技术专家，他们将凭借深厚的专业知识和丰富的实践经验，为你深入剖析碳化硅（SiC）技术的未来发展方向与详细规划，同时全面解读 SiC 在热门应用领域的行业动态与技术前沿趋势。 英飞凌碳化硅零碳应用技术大会 📅 时间：2026年5月22日 📍 地点：深圳 特邀嘉宾： Dr. Peter Friedrichs 碳化硅技术创新专家 英飞凌科技 未来社会将面临电

在电力电子领域，SiC MOSFET 正凭借高频、高效、高温的显著优势在新能源汽车、光伏储能、工业电源等核心场景加速渗透。SiC MOSFET能复用硅基器件(如垂直型MOSFET或IGBT)的许多基本的器件设计概念，另外用于验证Si MOSFET/IGBT长期稳定性的许多方法可以直接用到SiC MOSFET上。但更深入的分析表明，基于SiC的MOSFET还需要进行一些不同于Si器件的额外可靠性试验

在碳化硅SiC MOSFET快速普及的今天，短路稳定性一直是行业关注与争议的焦点。很多工程师误以为：SiC MOSFET 天生扛不住短路，是硬缺陷。事实真的如此吗？ 英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相，帮你在选型与应用中少走弯路。 01 先澄清一个误区：SiC 不是 “不能短路” 先看一组行业常见数据： 常规工业级 IGBT：短路耐受

随着全球电动汽车市场对充电效率与架构灵活性的要求不断提升，OBC技术正迎来从繁至简的变革。为了深度拆解这一前沿趋势，我们将通过两篇系列文章介绍11 kW矩阵式OBC创新方案。第一篇讲解了👉系统级架构创新的趋势。本文将聚焦安森美（onsemi）11kW 矩阵式 OBC 核心技术详解与器件应用解析。 11kW矩阵式车载充电机－硬件设计师访谈 Daniel Goldmann 安森美电源解决方案事业部首席

安森美宣布收购集成稳压器公司Ferric，并将2030年AI数据中心营收目标上调5亿美元至超过30亿美元。Ferric的IVR方案将电源控制器、FET、电感器和电容器集成于单一封装，可减少50%至70%电路板面积。

PIC100技术面向超大规模云服务商，在300毫米晶圆生产线上量产，计划2027年前将产能提高到当前的四倍，并在2028年进一步扩大产能 意法半导体公布 PIC100硅通孔（TSV）技术开发规划 近日，意法半导体（**ST）**宣布，其先进的PIC100硅光技术平台现已进入大规模量产阶段，帮助超大规模云服务商实现数据中心和人工智能集群的光纤互连。随着人工智能运算量激增，PIC100的8

陈立武将2026年称为“执行之年”。 英特尔2026财年Q1营收135.8亿美元，同比增7%，连续6季度超预期。 数据中心与AI业务收入同比涨22%，代工业务涨16%。 non-GAAP净利润15亿美元，同比暴涨156%。 净亏损37亿美元，源于两项一次性支出，剔除后盈利15亿美元。 盘后股价飙升19%，今年迄今累计涨81%。 英特尔发布2026年第一季度财报 客户端计算事业部收入77亿美元，环比

美国三座已关闭核电站拟重启，合计恢复2.25吉瓦装机容量，涉及霍尔台克国际、星座能源和新纪元能源。微软、谷歌分别签订长期购电协议，美国能源部提供最高44亿美元贷款支持。

高塔半导体与旭创科技宣布继续合作，发展面向AI基础设施的近封装光学应用。旭创科技基于高塔200mm和300mm硅光平台，首款NPO器件已采用PH18M工艺进入早期生产，并已在300mm平台流片多款产品。

新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2  7mΩ分立器件采用TO-247 4pin 高爬电距离封装 英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现显著提升，为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能，广泛适用于各类AC