技术干货丨借助GaN双向开关革新电源设计
随着全球电源需求正出现前所未有的激增,设计人员不断面临挑战,需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸,并以更高的效率提供更高的功率水平。 氮化镓(GaN)以其优越的半导体特性,正在推动一场变革,引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。 高电压GaN双向开关(BDS)通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断,从而助
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随着全球电源需求正出现前所未有的激增,设计人员不断面临挑战,需要在个人设备、AI基础设施、太阳能、电池系统、电机及车辆等多种领域中实现更小的系统尺寸,并以更高的效率提供更高的功率水平。 氮化镓(GaN)以其优越的半导体特性,正在推动一场变革,引领着电力电子领域的真正复兴。这一变革得益于前所未有的快速、小巧电力开关的问世。 高电压GaN双向开关(BDS)通过在单个器件内实现双向电流导通和阻断,从而助
突破资源受限设备的人脸识别瓶颈: 智能技术的新篇章 人脸识别已成为智能手机与个人电脑等高性能设备的标配功能。然而,要将这项技术集成到资源受限的边缘设备与物联网终端中,仍面临诸多挑战。例如,企业级打印机的用户身份验证、门禁控制面板、考勤打卡机以及销售终端等应用场景,都能通过人脸识别大幅提升价值,但传统解决方案往往超出这些设备的计算能力。 瑞萨电子和Aizip开发了一种人脸识别解决方案,通过使面部识别
在数据中心设计的新纪元,人工智能(AI)正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式,以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化,而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心,其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进行根本性重构,进而加速氮化镓(GaN)半导体的普及应用。 剖析AI数据中心的电力挑战 相较于早期的云基础设施,AI数据中心呈现出两大显