碳化硅（SiC）拥有 3 倍于硅的禁带宽度与 10 倍击穿场强，耐高压、耐高温且导通损耗极低。在 800V 新能源汽车主驱逆变器、直流超充桩模块、光伏组串式逆变器与高压储能 PCS 中正全面替代传统硅基 IGBT。
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