GaN氮化镓器件与SiC碳化硅器件在800V高压电驱逆变器中的选型对比与栅极驱动保护
汽车800V高压平台下，主驱逆变器究竟是上1200V SiC MOSFET，还是等待高耐压GaN成熟？我们在双脉冲测试（Double Pulse Test）台上对比了Wolfspeed的C3M系列SiC和Navitas的GaN。 SiC的短路耐受时间（SCWT）有2~3us，而GaN一旦直通几乎在几十纳秒内炸管。大家在
高压大功率 SiC MOSFET 与逆变应用 · 共 4 篇内容
# 碳化硅
碳化硅（SiC）拥有 3 倍于硅的禁带宽度与 10 倍击穿场强，耐高压、耐高温且导通损耗极低。在 800V 新能源汽车主驱逆变器、直流超充桩模块、光伏组串式逆变器与高压储能 PCS 中正全面替代传统硅基 IGBT。
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碳化硅SiC MOSFET驱动专用芯片国产化进程与负压关断电路推荐
【问题与背景描述】 近期在推进一款工程方案设计时遇到关于 碳化硅SiC MOSFET驱动专用芯片国产化进程与负压关断电路推荐 的技术难点。 在样机测试与调试过程中，我们实测抓取了关键节点的波形，并对比了芯片官方手册（Datasheet）中给出的参考典型应用电路。 目前有几个疑问想向论坛的前辈与原厂技术支持请教： 1.
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