鲁汶大学等：干沉积抗蚀剂在EUV与电子束曝光下色调行为不同

在纳米级光刻工艺中，线边缘粗糙度（Line Edge Roughness, LER）是指光刻图案边缘与理论上完美光滑边缘之间的随机偏差。显影后，光刻胶边缘在电子显微镜下呈现类似锯齿的不规则图形。与之相关的线宽粗糙度（LWR）则强调线宽沿长度方向的波动。随着特征尺寸持续缩小，LER并不会同比缩小，而工艺容差却不断收窄，这使得过去几纳米级的边缘起伏从“图形小瑕疵”转变为直接影响器件性能的关键因素。 L

4月23日消息，这可不是简单的二次拼接，而是从零开始的晶圆级手搓。 海外科技博主Dr.Semiconductor（半导体博士）完成了全球第一次DIY壮举。他在自家后院棚屋改造的洁净室里，成功制备出内存存储单元阵列，实现了史上首次在家自制RAM内存的突破。他还通过视频，完整展示了家用环境下芯片制造的全流程半导体工艺。 当下AI产业爆发，引发了全球内存市场的持续动荡。三星、美光、SK海力士三大

本文将详细介绍激光直写光刻技术。 激光直写光刻技术是一种利用曝光强度可控的激光束对光刻胶进行曝光，经显影后获得期望形貌三维微结构的无掩模光刻技术。该技术通过计算机对激光的曝光位置与强度进行数字化控制，实现对光刻胶的变剂量曝光，因此具有很高的制造灵活性。 与传统的投影光刻机相比，激光直写无需掩模板，甚至可直接用于生产掩模板。以激光为能量源的直写设备称为laser writer。从性价比看，激光直写适

5月7日消息，据美国德克萨斯州格莱姆斯县官网披露，埃隆·马斯克旗下的太空探索技术公司（SpaceX）正考虑在该县投资建设一座名为“Terafab”的超级半导体制造工厂。该项目初期投资高达550亿美元，若全盘落成，总投资额将飙升至惊人的1190亿美元。 根据格莱姆斯县于5月初发布的公开听证会通知，SpaceX正向当地政府申请财产税减免政策，以支持这个代号为“Terafab”的庞然大物落地。文件显示，

2026年4月，证监会官网显示，阜阳欣奕华新材料正式启动科创板上市辅导。 当前全球光刻胶市场被海外企业技术垄断，技术代差、配方壁垒、制程管控成为国产最大拦路虎，本文从核心技术差异、海外竞品技术软肋、欣奕华技术破局路径三大硬核维度，拆解国产光刻胶如何靠技术实现逆势突围。 | 光刻胶硬核量产级突破 欣奕华材2013年入局光刻胶赛道，始终聚焦材料核心底层技术，放弃低端光刻胶同质化内卷，形成显示光刻胶成

本文介绍了SC-1清洗液。 SC-1 (Standard Clean 1)，全称为标准清洗液一号，通常也叫做 APM (Ammonia Peroxide Mixture)。它是半导体制造中最著名、应用最广泛的清洗配方——RCA 清洗工艺的核心组成部分（由美国无线电公司 RCA 的 Werner Kern 于 1965 年发明）。 SC-1 的配方组成 SC-1 的经典化学配比是： 氨水 (NH3

光刻返工是芯片制造中补救涂胶、显影等异常的关键流程，通过去胶、清洗、重新涂胶三步实现。但返工并非无损，每操作一次都会损伤晶圆，先进工艺通常限2次以内，以平衡良率、成本与质量。 在芯片制造的光刻工艺中，谁也无法保证每一次涂胶、曝光、显影都完美无缺。当出现异常时，工程师并不会直接报废整片晶圆——只要条件允许，他们会启动光刻返工流程，把晶圆“洗干净”重新来过。这就像写错字的草稿纸，用橡皮擦掉重写。但这颗

"印度制造"的标签即将贴上半导体芯片？ 当地时间2026年5月16日，荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）与印度科技巨头塔塔电子正式签署谅解备忘录（MoU），宣布建立战略合作伙伴关系，共同推进印度半导体制造生态系统发展，这一签约仪式在印度总理纳伦德拉·莫迪访问荷兰期间举行，由莫迪亲自见证。 根据合作内容，ASML将为塔塔电子即将在印度古吉拉特邦多勒拉（Dholera）建设的300毫米（12英寸）半导体

本文将介绍芯片制造的光刻胶。 光刻胶 很多人将光刻简单理解为“用光把图案印到硅片上”，但从材料角度来看，曝光仅仅只是第一步。曝光后的光场进入光刻胶内部后，会在胶层中发生吸收、散射与能量衰减，并诱导光敏组分发生化学变化，形成所谓的“潜像”。这种潜像并不是肉眼可见的结构，而是一种曝光区与未曝光区之间的化学差异。只有经过后续曝光后烘烤（PEB）与显影处理后，这种化学潜像才会真正转变为具有实际形貌的微纳图

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，凭借其“面向测试工程的生成式AI”（GenAI for Test Engineering）项目荣获“2026年人工智能影响力奖”。该奖项由德国《经理人杂志》（manager magazin）和保时捷管理咨询公司（Porsche Consulting）联合颁发，旨在表彰通过有针对性地应用AI而实现显著且可衡量商业影响力的企业。 英飞凌荣获20

本文介绍了什么是热臭氧工艺。 什么是热臭氧工艺？ 热臭氧工艺是一种湿法清洗技术，用 45~55°C 的含臭氧清洗液，去除光刻胶和刻蚀后的有机残留。 它的原理很直接：光刻胶和刻蚀残留主要是有机物（碳氢化合物），而臭氧（O₃）是强氧化剂，能把有机物氧化分解成二氧化碳、水等挥发物，从而去除。本质上是一种在液相、低温下进行的化学氧化去胶。 "热"是关键。它在 45~55°C 的适度加热下进行，比室温的普

马斯克「非常认真」、英特尔提供14A技术 ASML 执行长克里斯托福·富凯（Christophe Fouquet）20 日出席比利时安特卫普科技活动时表示： 富凯已直接与马斯克就 TeraFab 半导体计划会谈，并形容马斯克「非常认真」看待这项计划。 富凯表示，TeraFab和星链（Starlink）等大型计划将在数年内增加设备供应商的产能压力，并警告全球半导体产业都可能面临供不应求局面。 一、A

本文介绍了怎么解决光刻胶 RLS 三角矛盾问题。 一、解决光刻胶 RLS 三角矛盾问题有什么更优的方案 1. 金属氧化物光刻胶（尤其锡基），这是当前最重要的突破方向 传统的化学放大胶在 EUV 下 RLS 矛盾很尖锐，而金属氧化物光刻胶（Metal Oxide Resist，MOR，代表是含锡的胶）能在三个维度上同时改善，这是它被寄予厚望的原因。 2. 提高光子吸收效率 不管什么胶，提高对 EUV

在芯片厂里，PE和EE互相甩锅，几乎是制造现场最有生命力的传统项目。 PE，也就是Process Engineer，工艺工程师。EE，也就是Equipment Engineer，设备工程师。 一个管工艺结果，一个管机台状态；一个盯参数、良率、recipe、工艺窗口；一个盯报警、硬件、PM、UPTIME、部件寿命。 表面上看，两边都是为了产线稳定。但一旦异常出现，双方就很容易站到“对面”。 不是因

本文介绍了光刻工艺中的Exposure Dose (ED)是什么。 在半导体光刻工艺中，曝光剂量（Exposure Dose, ED）是决定光刻胶图形转移质量的核心参数之一。它直接关系到最终电路图案的精度与完整性，是整个光刻工艺中必须被精确控制的能量基础。 曝光剂量的物理定义 曝光剂量在本质上表征了光刻胶表面所接收到的总光能量。从物理定义来看，它是照射到物体表面单位面积上的光能量，在光刻工艺中特指

本文主要介绍了如何在线检测H2O2浓度。 在半导体晶圆厂的湿法清洗中，实现在线（In-line/On-line）检测 H2O2浓度，为了保证制程的稳定性，机台不能停机抽样测试。 一般有两种方法：近红外光谱法 (NIR)和在线自动滴定。 什么是近红外光谱法？ 这是目前所有先进晶圆厂湿法机台的标配。 近红外光（波长通常在780nm - 2500nm 之间）照射到液体时，液体分子内部的化学键（特别是

本文将介绍电子束直写光刻技术与其他光刻技术协同的混合光刻。 电子束直写（EBDW：Electron Beam Direct Write）光刻技术是全球范围内实验室、大学及中试线研发领域采用的标杆技术。尽管其写入速度较低，除光学掩模制造外，该技术从未被视为可行的工业解决方案。其天然的高分辨率特性能够在先进或创新器件进入大规模量产前实现低成本图形化。  得益于其对几乎所有化学放大光刻胶的全面兼容性，E

三十年，在历史的长河中只是弹指一挥间，对于企业而言，是从青涩到成熟的壮丽征程。 上周，瑞萨北京工厂与苏州工厂双双迎来成立三十周年庆典。虽相隔千里，但同频共振。两座工厂分别举行了隆重而热烈的庆祝仪式，全体员工齐聚一堂，为三十岁生日献上最真挚的祝福！作为周年庆典的一部分，北京工厂在庆典同期连线参加了瑞萨2025 IM （Internal Manufacturing）Award颁奖典礼，与全球瑞萨人共同

本文主要讲述ADI。 在半导体芯片制造的光刻工艺中，显影后检测（After Development Inspection，简称ADI）是一个关键的质量控制环节。它位于光刻工艺的显影步骤完成之后、刻蚀工艺开始之前，主要目的是确认光刻胶上形成的图形是否符合设计要求。 ADI在光刻工艺中的位置 光刻工艺的基本流程包括涂胶、曝光和显影三个主要步骤。首先在晶圆表面涂上光刻胶，然后通过光刻机将设计图形曝光到光

本文将介绍光刻胶形貌异常的原因，以及解决手段。 线宽均匀性关注的是图形尺寸的一致性，而光刻胶形貌则关注图形本身的截面形状是否正常。在实际工艺中，光刻胶形貌异常会直接影响后续刻蚀或离子注入的图形转移质量，因此识别和控制这些异常至关重要。 侧墙倾斜角 侧墙倾斜角指的是光刻胶侧壁偏离垂直方向的程度。产生倾斜角的一般原因是进入光刻胶底部的光比顶部的光弱，这是由于光刻胶对光的吸收造成的。解决的方法一般通过减