一只MOS晶体管是如何制造出来的？
本文将介绍制造MOS晶体管的工艺流程。 理解MOS工艺，关键并不在于记住多少层氧化膜、多少块掩膜版，而在于弄清楚每一道工序如何影响晶体管的导通、关断和可靠性。 MOSFET如何控制电流 以n沟增强型MOSFET为例，器件通常形成在p型硅衬底上，两侧为重掺杂n型源区和漏区，中间由栅介质与栅极覆盖。 当栅源电压为零时，n⁺源区与漏区之间仍被p型衬底隔开，尚未建立连续的n型导电路径，因此器件基本处于关
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# CMOS工艺
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CMOS制造流程与关键工艺约束
CMOS 工艺是集成电路核心技术，核心是在同一块硅片上集成 NMOS 和 PMOS。本文梳理其核心流程，聚焦工艺复杂度、尺寸偏差、锁定效应、静电保护四大关键问题，解析行业应对策略。 CMOS工艺 CMOS工艺的重点，是在同一块硅片上同时做出NMOS和PMOS，常见做法是先在n型衬底中形成p阱，作为NMOS的体区；PMOS则直接做在n型区域中。 接着划分有源区和隔离区，并在有源区表面形成栅氧化层和
混合存储架构破解边缘AI片上内存瓶颈
边缘人工智能(Edge AI)使自动驾驶汽车、医疗传感器和工业监控器能够从实时接收到的真实世界数据中学习。如今，它已能够即时应用学习模型，同时严格管控能耗与硬件损耗。 这得益于一套混合内存系统，该系统将两种此前互不兼容的技术——铁电电容器和忆阻器——的最佳特性融合到一个与CMOS兼容的单一内存堆栈中。这种新型架构由CEA-Leti的科学家与法国微电子研究中心的研究人员合作开发。 他们的研究成果发
别被手册吓到！揭秘RF ADC电源域设计的极简方案
在采样速率和可用带宽方面，当今的射频模数转换器(RF ADC)已有长足的发展，其中还纳入了大量数字处理功能，电源方面的复杂性也有提高。那么，RF ADC为什么有如此多不同的电源轨和电源域？ 为了解电源域和电源的增长情况，我们需要追溯ADC的历史脉络。早期ADC采样速度很慢，大约在数十MHz内，而数字内容很少，几乎不存在。电路的数字部分主要涉及如何将数据传输到数字接收逻辑——专用集成电路 (ASIC
珠海有家高端硅光CPO算力芯片新锐
创立不到两年的量引科技，正凭借一枚枚高性能光芯片突破国外技术垄断，打通AI时代数据传输的高速通道。从完成数千万天使轮融资到布局国际前沿赛道，这家初创企业的快速崛起，既是自身技术创新的突围，更是国产高端光芯片产业突破的生动缩影。 | 打通数据传输“高速路” “光芯片就像是AI时代数据驶入高速通道的‘入口站’，光纤则是承载数据的‘高速公路’。只有依靠高性能光芯片，海量数据才能以光速实现高效传输。”量引