SiC SBD：第三代半导体的破局者
碳化硅(SiC)功率器件在高压和高温应用中展现出卓越的效率与性能，而传统硅基器件在这些领域则面临物理极限。 在各类SiC器件中，肖特基势垒二极管(SBD)被公认为最早问世的SiC功率器件，相关研究可追溯至1974年[1]。SBD很快便实现了广泛的商业化应用，尤其在电动汽车牵引逆变器和可再生能源装置等电源转换系统中。 SiC肖特基势垒物理原理 与依赖P型和N型半导体结的PN结二极管不同，SBD通过金
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搞懂这些材料 对设计电源和功率器件很重要！
本文介绍了电源领域硅、碳化硅、氮化镓三类主流功率半导体材料的核心性能参数、技术特性与适配场景，梳理了不同材料的优势与应用边界，同时针对性给出了碳化硅与氮化镓在功率电路设计中的关键注意事项及核心设计要点，指出其演进方向，即为全球能源转型与碳中和目标下的电力电子技术革新筑牢基础。 随着全球对高效能电源转换技术的需求不断提升，半导体材料在电源领域的应用日益重要。从传统的硅（Si）功率元器件，到近年来快速
为什么车企都在死磕800V高压平台？本文讲清楚了~
电动汽车（EV）的快速普及与升级，其核心驱动力在于电气化与集成化的深度融合。集成化是车企实现降本增效、轻量化以及释放座舱空间的关键手段。电气化技术的演进则主要围绕“补能焦虑”、“续航里程”与“能量效率”三大痛点展开。 为了实现“充电5分钟，续航200公里”的用车体验，更大程度减少驾驶员的里程焦虑，现在整车架构平台正从400V向800V甚至1,000V升级演进。这不仅能大幅缩短充电时间，还能降低线