FinFET的器件结构与基本工艺流程
本文介绍了FinFET的器件结构与基本工艺流程。 这篇文章转向逻辑器件领域，介绍鳍式场效应晶体管（fin field-effect transistor，FinFET）——目前先进逻辑芯片中广泛采用的三维器件结构。与DRAM和3D NAND通过电容或电荷存储层来保存数据不同，FinFET属于逻辑器件范畴，其核心功能是提升晶体管的开关速度和能效。 平面MOSFET遇到的瓶颈 在平面MOSFET中，沟
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# 短沟道效应
关于「短沟道效应」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
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为什么越先进的制程漏电越严重？
本文介绍了越先进的制程漏电越严重的原因。 "先进制程"的本质就是把晶体管做得越来越小。缩小的时候，晶体管的各个尺寸都在变： 沟道长度变短（源极到漏极的距离缩短）； 栅氧化层变薄（栅极和沟道之间的绝缘层变薄）； 工作电压降低（为了省功耗、防击穿）； 阈值电压降低（跟着工作电压降）； 掺杂浓度提高； 晶体管数量暴增（同样面积塞更多）； 问题就在于——上面这几个变化，每一个都会从不同角度加剧漏电。 原
DRAM存取晶体管的演进—平面、凹槽栅与埋入式字线
本文主要讲述DRAM存取晶体管的演进。 与电容并行发展的另一条技术主线是存取晶体管的结构变化。从平面晶体管到凹槽栅晶体管（recessed gate transistor，RG transistor），再到埋入式字线晶体管（buried word line transistor，BWL transistor），存取晶体管的每一次变革都直接影响DRAM的功耗、速度和制造复杂度。 平面晶体管的基本结构