安森美推出EliteSiC M4碳化硅平台，功率密度提升达30%

安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）公布其2026年第一季度业绩，要点如下： 第一季度营收为15.13亿美元，高于公司业绩指引中值 第一季度公认会计原则（以下简称“GAAP”）与非GAAP毛利率均为38.5% 第一季度GAAP营业利润率为(3.5)%，非GAAP营业利润率为19.1% 第一季度GAAP每股摊薄收益为(0.08)美元，非GAAP每股摊薄收益为0.64美元

安森美公布2026年第三季度业绩，营收为17.22亿美元，同比增长11%，非GAAP营业利润率为23.2%。公司自由现金流为4.89亿美元，同比增长31%，并宣布达成收购Ferric的协议。

碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。 1 利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET 安森美与竞品对比 本表对比了安森美（onsemi） El

氢气电解槽旨在利用各种能源（电网、太阳能、风能或电池储能系统）通过电解水来制氢。当使用可再生能源供电时，这些系统旨在以环境友好的方式制氢，从而减少对化石燃料的依赖并最大限度地降低碳排放。本文将为您概述氢电解槽的应用和技术趋势，并重点介绍了安森美（onsemi）专为该领域量身定制的全面高效的功率解决方案。 电解制氢的关键技术环节 与电解技术类型 电解制氢可用于多种应用，包括用于交通运输的燃料电池、

GaNEXUS™系列是安森美（onsemi）最新推出的氮化镓（GaN）功率产品组合，旨在为现代功率架构提供更高的效率、更高的功率密度以及高速开关性能。在GaNEXUS的应用领域中，氮化镓能够最大化地发挥系统级影响，从电源到负载，支持各类紧凑、高效的功率转换。 凭借久经考验的电源设计、卓越的品质以及全生命周期支持，GaNEXUS助力客户构建可靠且可扩展的解决方案，广泛应用于AI数据中心、机器人与自动

全球功率半导体模块市场预计2026年达492.2亿美元，并以7.68%复合年均增长率增至2032年的766.6亿美元。报告分析电气化、可再生能源、工业自动化、AI数据中心等需求，以及碳化硅、氮化镓等技术趋势。

安森美（onsemi）**进一步深化与蔚来（NIO）的长期战略合作，助力蔚来加速向下一代900V 高压电动汽车平台转型。**双方的合作基于安森美EliteSiC 技术，以提升蔚来最新电动汽车系列的能效、性能与可扩展性，其中部分车型于2026 年北京国际车展首次亮相。 新闻要点 EliteSiC技术已应用于蔚来900V 高压平台车型，包括旗舰车型 双方在多年合作基础上，进一步深化工程与系统级

近期，功率半导体器件市场景气度显著回升，呈现“量价齐升”态势，多家主流厂商发布调价通知，MOSFET等核心产品价格普遍上调10%以上。 这一市场动向的背后，是AI算力基础设施的蓬勃建设、数据中心电源架构升级以及工业自动化需求等多股力量的强劲驱动。在这一背景下，数据中心、工业电源系统和云计算平台对低损耗、高功率密度的功率开关器件提出了更高要求，安富利的合作伙伴安森美推出的T10 MOSFET技术，为

在2026年北京车展上，超高压架构、舱驾融合及车载 AI Agent的技术浪潮正在重塑行业边界。 安森美 (onsemi) 总裁兼首席执行官 Hassane El-Khoury亲临现场，在密集的行程中捕捉中国汽车创新最真实的脉动。从一个个展台的交流中，他看到的不仅是琳琅满目的新车，更是中国汽车产业从“追随者”向“定义者”的华丽转身。 与安森美CEO同行，逛车展👇 中国创新速度领跑全球 凭借惊人的中

如果观察近年来电子系统的发展，会发现一个有趣的现象： 无论是AI数据中心、工业机器人、能源基础设施，还是新能源汽车，它们对电源系统的要求都在同步提升。一方面，系统功率持续增长； 另一方面，设备尺寸、散热空间以及能耗预算却受到越来越严格的限制。 这意味着，未来电源设计的竞争已不再局限于单颗器件性能，而是如何在更小空间内实现更高效率、更高功率密度以及更稳定可靠的系统运行。在这样的背景下，氮化镓（GaN

安森美通过碳化硅（SiC）器件的性能突破与拓扑优化，提升了储能逆变器在效率、成本与适应性方面的表现，并为AI数据中心等高能耗场景提供了高效解决方案。

安森美宣布收购集成稳压器公司Ferric，并将2030年AI数据中心营收目标上调5亿美元至超过30亿美元。Ferric的IVR方案将电源控制器、FET、电感器和电容器集成于单一封装，可减少50%至70%电路板面积。

碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第三篇，将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。 SiC CJFET: 性价比优势 对于当前市场上任意给定的半导体封装，CJF

随着全球电动汽车市场对充电效率与架构灵活性的要求不断提升，OBC技术正迎来从繁至简的变革。为了深度拆解这一前沿趋势，我们将通过两篇系列文章介绍11 kW矩阵式OBC创新方案。本文为第一篇，将重点聚焦系统级架构创新的趋势。 矩阵式架构，化繁为简 安森美（onsemi）11 kW车载充电机（OBC）演示设计采用矩阵式转换器功率拓扑，专为电动汽车车载充电应用开发，并辅以一项专有的高级控制算法。矩阵转换器

碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第二篇，将介绍三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案 SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点 S

安森美（onsemi）与吉利汽车集团进一步深化战略合作，加速下一代电动汽车的发展。此次合作将安森美 EliteSiC 碳化硅技术更深度地集成至吉利浩瀚-S超级电混架构。安森美EliteSiC技术支持更高电压的 900V 架构，提升系统能效，延长续航里程、缩短充电时间，为全球用户带来更快速、更可靠、更便捷的驾驶体验。 新闻要点 安森美 EliteSiC 电源技术已集成至吉利浩瀚-S超级电混架构车

公路出行需要快速、安全且及时的充电体验，交通运输行业在此基础上，还亟需优化能耗。双向充电技术，正是兼顾这两大诉求的理想方案。 为电动汽车充电不应超过半小时。要实现这一目标，就必须采用、实施并部署安全可靠的充电系统，为每个充电终端（即每个“充电泵”）提供至少1兆瓦的功率。关键在于，输配电网络也必须具备支撑如此庞大充电负荷的能力，确保高效、可靠地输送电能。 美国橡树岭国家实验室（ORNL）已为其MCS

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高

1200V 62mm IGBT 7半桥模块 英飞凌推出1200V 62mm半桥模块产品扩充，额定电流涵盖450A到800A，采用预涂导热界面材料和共发射极配置。 产品描述： ■FF800R12KE7P ■ FF800R12KE7P_E ■ FF600R12KE7P ■ FF600R12KE7P_E ■ FF450R12KE7P ■ FF450R12KE7P_E 产品特性 最高功率密度 业界领先的

近日，英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块