GaNEXUS™系列是安森美（onsemi）最新推出的氮化镓（GaN）功率产品组合，旨在为现代功率架构提供更高的效率、更高的功率密度以及高速开关性能。在GaNEXUS的应用领域中，氮化镓能够最大化地发挥系统级影响，从电源到负载，支持各类紧凑、高效的功率转换。
凭借久经考验的电源设计、卓越的品质以及全生命周期支持，GaNEXUS助力客户构建可靠且可扩展的解决方案，广泛应用于AI数据中心、机器人与自动化、汽车电源系统以及能源基础设施等领域。
GaNEXUS™的关键优势
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高功率密度：更小的磁性元件、更紧凑的设计、更高的集成度。
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高频率性能：更快的开关速度，适用于高级转换阶段。
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专为部署就绪系统设计：专为长寿命周期和电力生产应用而设计。
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安森美的可靠性保障：宽禁带技术专家，产品卓越品质保障，符合车规级乃至更高标准的认证，提供全生命周期支持。
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智能电源**生态系统：**Treo平台经过氮化镓优化的驱动器和电源管理IC能够支持更简便更智能的氮化镓系统设计。
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可扩展电压范围：氮化镓解决方案覆盖40-1200V从低到高电压范围，包括垂直氮化镓电源。
氮化镓功率架构
功率转换是一个分阶段进行的过程，从高压配电到负载点调节。GaNEXUS应用氮化镓技术，通过提升开关频率、功率密度和效率，从而在系统层面带来显著优势。
GaNEXUS应用的关键阶段
高频率转换
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结构紧凑、转换高效
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减少磁性元件和热应力
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实现更高的系统集成密度
中间功率转换
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平衡效率、可扩展性和动态响应
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支持不断演进的架构和配电方案
负载邻近供电
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快速瞬态响应
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在处理器、电机或负载附近采用更小巧的功率级
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提升系统响应能力
运动与执行器供电
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高效开关技术实现紧凑型驱动
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在空间受限系统中发挥散热优势
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高精度与高响应性
主要终端应用
AI数据中心和云基础设施
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AI和云端电源系统需要在不同阶段进行高密度、高频率转换。中低压氮化镓FET（40–200V）可实现紧凑型中间级和负载点供电，而高压氮化FET（650V及以上）则支持高效的隔离式转换。双向和集成式氮化镓技术为可扩展的下一代数据中心架构提供支持，从电网到GPU，全面升级。
物理人工智能、机器人技术与工业电源
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机器人和自动化系统需要紧凑、高效的电源，并具备精确的运动控制能力。中低压氮化镓场效应管（GaN FET）可实现高频电机驱动和伺服级，从而缩小体积并降低损耗。集成的氮化镓驱动和智能解决方案通过增加保护和控制功能，简化了设计，以支持响应迅速、可靠的机器人平台。
能源基础设施
能源和工业系统需要在整个长生命周期内保持高效、高可靠性的供电。高压及未来的超高压氮化镓场效应管（GaN FET）能够实现紧凑型高频率的转换，这对于看重效率和体积的行业领域尤为重要。智能且可控的氮化镓解决方案通过增加保护和监控功能，简化了设计并增强了系统的鲁棒性。
汽车电气化
从辅助系统到48V系统再到电气化子系统，汽车电源架构涵盖多个电压域。低压和中压氮化镓场效应管（GaN FET）支持紧凑型直流-直流转换，而高压氮化镓解决方案则可实现高效的隔离式功率级。双向和集成式氮化镓器件通过提升效率和系统集成度，为新兴的汽车架构提供支持。
GaNEXUS产品组合
探索氮化镓产品组合的细分产品。
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中低压GaNEXUS FET：高频率40-200V氮化镓HEMT，用于IBC、POL和电机驱动级。
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高压GaNEXUS FET：650V紧凑、高效的GaN HEMT，用于高频率、隔离式转换。
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GaNEXUS智能：GaN HEMT带集成保护和感应功能。
电源系统需要多重技术支持
GaNEXUS能够与安森美广泛的电源产品组合无缝协作，提供涵盖分立式、双向及集成式电源解决方案的氮化镓产品，以及先进的硅电源解决方案和EliteSiC™碳化硅产品。这些技术被部署在能够发挥最大系统级效益并实现最佳权衡的领域。在结合Treo Platform™电源 IC用于栅极驱动、保护和电源管理，安森美帮助客户设计从电源端到负载端的完整电源架构，在性能、效率和可靠性方面实现最优。
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