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2025年无线技术回顾:Wi-Fi 7、蓝牙LE、UWB和5G的重要进展

2025年无线技术回顾:Wi-Fi 7、蓝牙LE、UWB和5G的重要进展

2025年,无线技术在多个领域取得重要进展。Wi-Fi 7实现大规模部署,蓝牙LE和UWB在汽车和物联网中广泛应用,5G推动车载信息服务发展,无线医疗设备为人工智能奠定基础。

LoRa2021模块实测:FLRC高速传输与远距离通信性能详解

LoRa2021模块实测:FLRC高速传输与远距离通信性能详解

本文介绍了基于Semtech最新一代LoRa芯片LR2021开发的LoRa2021模块,详细评估了其在FLRC高速模式和传统LoRa模式下的远距离通信性能,并在深圳欢乐港湾进行了实地测试。

射频功率放大器详解:提升5G基站信号覆盖

射频功率放大器详解:提升5G基站信号覆盖

本文详细介绍了射频功率放大器在无线通信系统中的核心作用,包括信号放大、通信距离扩展及抗干扰等,并列举了其在蜂窝通信和军事领域的关键应用。同时,文章还探讨了技术挑战及推荐了两款芯启源科技的功率放大器。

LoRa自组网技术详解:远距离低功耗通信解决方案

LoRa自组网技术详解:远距离低功耗通信解决方案

本文详细解析了LoRa自组网技术及其在工业物联网中的应用,介绍了N70S LoRa智能手持终端的特点和应用场景。

英飞凌发布AIROC ACW741x:20 MHz Wi-Fi 7 IoT三频无线设备

英飞凌发布AIROC ACW741x:20 MHz Wi-Fi 7 IoT三频无线设备

英飞凌推出AIROC ACW741x系列,这是业界首款面向物联网的20 MHz Wi-Fi 7三频无线设备,支持Bluetooth LE 6.0和IEEE 802.15.4 Thread,具有低功耗和高稳定性。

低功耗蓝牙模块在电表中的应用:远程抄表与数据实时显示

低功耗蓝牙模块在电表中的应用:远程抄表与数据实时显示

本文介绍了基于低功耗蓝牙模块的无线电表解决方案,通过集成PRT5618蓝牙模块实现远程抄表、自动故障报警和数据实时显示等功能,提升电表管理的数字化和智能化水平。

射频PA市场重构:华太电子的5G技术保障之道

射频PA市场重构:华太电子的5G技术保障之道

文章分析了恩智浦退出射频PA业务后,华太电子在该领域的技术积累和市场机遇。华太电子通过全产业链垂直整合,提供高价值保障,成为国产替代的重要力量。

LoRa2021模块:多协议无线解决方案详解

LoRa2021模块:多协议无线解决方案详解

G-NiceRF推出的LoRa2021模块基于Semtech LR2021芯片,支持多频段、多物理层配置,旨在解决物联网项目中的多协议问题,降低工程复杂度。

恩智浦MCX W72:蓝牙信道探测技术赋能工业物联网精准测距

恩智浦MCX W72:蓝牙信道探测技术赋能工业物联网精准测距

恩智浦MCX W72无线MCU集成蓝牙信道探测技术,提供高精度和安全的距离测量,适用于工业物联网应用。该MCU通过FRDM-MCXW72和MCXW72-LOC开发板支持快速原型设计。

概伦电子与矽创电子合作:TDDI芯片设计仿真验证方案详解

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概伦电子与矽创电子达成技术合作,提供混合信号仿真验证解决方案,提升TDDI芯片设计效率和品质。

RS1432:16位2通道AD转换芯片详解

RS1432:16位2通道AD转换芯片详解

润石科技推出16位2通道AD转换芯片RS1432,支持差分输入和最高1MSPS的转换速率,适用于工业现场数据采集和仪器仪表测量设备。

三菱电机全新沟槽栅型SiC-MOSFET:降低50%功耗,助力电动汽车和可再生能源

三菱电机全新沟槽栅型SiC-MOSFET:降低50%功耗,助力电动汽车和可再生能源

三菱电机推出四款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片,专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器和可再生能源系统设计,显著降低功耗并提高性能。

BLG05T65FDL7 IGBT:助力变频冰箱高效运行的最新技术

BLG05T65FDL7 IGBT:助力变频冰箱高效运行的最新技术

上海贝岭推出的新一代低损耗场截止技术IGBT BLG05T65FDL7在变频冰箱中的应用,显著提升系统能效和可靠性。

SiC JFET在固态断路器中的四大优势详解

SiC JFET在固态断路器中的四大优势详解

本文详细介绍了SiC JFET在固态断路器中的应用,重点讨论了其低导通电阻、小封装尺寸、高可靠性和易于使用等优势。通过对比和实际测试结果,展示了SiC JFET在电路保护系统中的重要性。

TVS二极管选型与布局:2023年最新实战指南

TVS二极管选型与布局:2023年最新实战指南

本文详细介绍了TVS二极管的实战选型指南和布局技巧,包括选择合适的反向击穿电压、动态电阻和钳位电压等关键参数,以及如何在电路中合理布局以最大化保护效果。

SiC JFET在固态断路器中的热插拔控制详解

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本文详细介绍了SiC JFET在固态断路器中的应用,包括评估结果、热插拔控制及浪涌电流限制。通过实验数据和图表展示了SiC JFET的性能优势。

意法半导体TSZ901运放:高精度零漂移,适用于宽温环境

意法半导体TSZ901运放:高精度零漂移,适用于宽温环境

意法半导体推出的TSZ901运算放大器具有高精度、零漂移和10MHz增益带宽积,适用于多种高精度应用。该产品在-40°C至125°C的工作温度范围内表现出色,符合AEC-Q100标准。

功率MOSFET单脉冲雪崩能量EAS详解:测试与保护

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本文详细解析了功率MOSFET器件的单脉冲雪崩能量(EAS)参数,包括其定义、重要性、测试方法及影响因素,并探讨了EAS失效模式和电路保护措施。

合科泰分立器件:工业PLC电源模块防护方案详解

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文章介绍了采用合科泰分立器件的工业PLC电源模块防护方案,通过三级防护架构(泄放+钳位+稳压)来保护PLC电源免受浪涌、瞬态脉冲群和静电放电等威胁。

Wolfspeed TOLT封装650V MOSFET:AI数据中心高效散热解决方案

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Wolfspeed最新推出TOLT封装650V第四代MOSFET,为AI数据中心等高要求应用提供先进的碳化硅解决方案,具备更优异的散热管理和更高的可靠性。