亚琛工业大学优化电子束蒸发降低金属半导体接触退化
亚琛工业大学研究人员提出优化电子束蒸发装置，可在4英寸半导体样品金属镀覆中抑制带电粒子轰击。铂-硅肖特基二极管对比显示，费米能级钉扎减弱，n型硅获得更高肖特基势垒。
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亚琛工业大学研究人员提出优化电子束蒸发装置，可在4英寸半导体样品金属镀覆中抑制带电粒子轰击。铂-硅肖特基二极管对比显示，费米能级钉扎减弱，n型硅获得更高肖特基势垒。