Charge Trap与Floating Gate
本文介绍了Charge Trap与Floating Gate。 本期聊聊两种主要的NAND 技术路线,以及国际大厂阵营的分类。 在实现真正的 3D NAND 量产之前,各类技术研讨会上已经对多种 3D NAND 方案开展了长达十年的研究。涉足该领域的存储企业主要包括东芝、三星、英特尔、海力士和美光。 研发 3D 技术的核心目标是降低每比特成本、提升芯片密度,同时不必缩小二维光刻工艺节点。下图 汇总
关于「海力士」的技术文章、设计资料与工程师讨论,持续更新。
本文介绍了Charge Trap与Floating Gate。 本期聊聊两种主要的NAND 技术路线,以及国际大厂阵营的分类。 在实现真正的 3D NAND 量产之前,各类技术研讨会上已经对多种 3D NAND 方案开展了长达十年的研究。涉足该领域的存储企业主要包括东芝、三星、英特尔、海力士和美光。 研发 3D 技术的核心目标是降低每比特成本、提升芯片密度,同时不必缩小二维光刻工艺节点。下图 汇总
从ITRS到IRDS,半导体路线图正从晶体管微缩转向系统级集成与新材料探索。作为三维集成典范,3D NAND通过垂直堆叠与多值存储持续提升密度,但电荷俘获、横向迁移等失效机制对可靠性提出新挑战,需结合失效建模与预测策略加以应对。 半导体发展概述 国际半导体技术路线图(International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)由美国半导体工业
AI服务器的存储并非单一设备,而是分为“三圈粮仓”:HBM紧贴GPU,负责实时喂算力;DRAM内存条位于主板,承担系统调度缓冲;SSD/HDD在机柜中,存放PB级训练数据。三者的带宽、容量、价格差异巨大——HBM带宽可达TB/s级,但容量仅百GB;SSD容量大但速度慢。GPU算力十年涨500倍,HBM是唯一能跟上的存储,成为AI算力的“咽喉”。 从寄存器到硬盘,存储呈现“速度越快、容量越小、价
近日,市场调查机构Counterpoint Research公布了今年Q1最畅销的10款机型,iPhone 17系列包揽榜单前三,算上iPhone 16有四款机型上榜。与之形成鲜明对比的是,剩下6款安卓机型无一是高端产品。小米是唯一出现在榜单上的国产品牌,Redmi A5拿到了销量TOP10的最后一位。 但如果回顾Q1整个手机市场的销量数据,则能发现,小米遭遇了相当大的挫折。Counterpoin
俄罗斯政府正式发布声明,宣布对氦气实施临时出口管制,直至2027年底。这是继汽油之后,俄罗斯近期推出的又一项重要出口管制措施,旨在优先保障国内市场氦气供应稳定,而此举也将进一步加剧全球本已紧张的氦气供应链,对半导体等高科技产业产生深远影响。 CCTV2官方报道截图 此次氦气出口管制的背景与中东冲突密切相关,中东冲突导致保障油气供应的传统海上物流路线中断,而这种影响远不止于燃料能源领域。据估计,全