标签专题 · 共 29 篇文章

# 碳化硅

关于「碳化硅」的技术文章、设计资料与工程师讨论,持续更新。

29
篇文章
88
人关注
1,402
次浏览
基本半导体携750V消费类碳化硅方案亮相2026亚洲充电展

基本半导体携750V消费类碳化硅方案亮相2026亚洲充电展

3月27日,2026(春季)亚洲充电展在深圳前海国际会议中心举行。基本半导体携750V全系列消费类SiC MOSFET产品精彩亮相,全面展现在消费电子功率器件领域的技术实力与生态布局。 750V全系列SiC MOSFET,**赋能快充新生态** 随着消费电子设备对充电效率与功率密度的要求持续提升,碳化硅器件凭借其卓越的材料特性,正加速从工业应用向消费领域渗透。基本半导体消费类碳化硅MOSFET基

喜讯 | 基本半导体检测中心获CNAS实验室认可证书

近日,深圳基本半导体股份有限公司检测中心正式获得中国合格评定国家认可委员会(CNAS)颁发的实验室认可证书(注册号:CNAS L25397)。这标志着检测中心在软硬件设施、技术能力及质量管理体系等方面均已达到国际ISO/IEC 17025标准,所出具检测报告可被全球多个互认协议签署方所承认,将有力提升公司在半导体领域的技术权威性与市场公信力。 基本半导体检测中心是专注于功率半导体领域的综合检测与研

基本半导体成功签约两大合作项目 加速SST和AIDC直流配电产业落地

4月12日,“四川——清华校地合作创新发展大会”在成都举行。会议期间,基本半导体成功签约“SST直流供电技术全产业链研究平台”和“AIDC直流配电系统产业链”两大合作项目。 大会由清华大学、四川省委组织部、四川省教育厅、四川省科学技术厅共同主办,旨在持续深化省校战略合作,推动教育科技人才一体发展。大会现场,一批清华大学教授团队、校友企业重点项目,以及清华四川能源互联网研究院重点引进企业及平台项目完

闻泰科技荣获“年度车规芯片技术突破奖”!1200V SiC MOSFET再传捷报

闻泰科技荣获“年度车规芯片技术突破奖”!1200V SiC MOSFET再传捷报

近日,2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼举行,闻泰科技凭借研发创新实力斩获“年度车规芯片技术突破奖”,旗下1200V车规级碳化硅(SiC)MOSFET产品的核心竞争力获行业权威认可。 “年度车规芯片技术突破奖”旨在表彰在前沿领域实现重大原始创新、技术达国际先进水平,且对车规芯片产业链自主安全可控发展具有重要推动作用的企业,凸显行业对技术创新与产业价值的认可。 车规优势显著 坚定研发驱动

以SiC赋能大功率电源:晶丰明源推出BP83323单级高PF恒压电源解决方案

以SiC赋能大功率电源:晶丰明源推出BP83323单级高PF恒压电源解决方案

大功率电源适配器的应用场景正不断拓宽,从数据中心供电、工业设备驱动到便捷式快充设备,市场对其高效率、高可靠性及小型化需求持续攀升,设计者们也随之对大功率电源的性能提出了更高要求:在功率因数和效率上寻求突破的同时,实现更低的待机功耗,更优的EMI性能以及更简单的系统结构。 晶丰明源推出新一代单级高PF恒压控制器BP83323,该产品以第三代碳化硅(SiC)器件集成为核心,采用单级APFC + 反激恒

IPAC大会全面升级,2026年开启双技术峰会!

自2014年首届举办以来,IPAC英飞凌零碳工业应用技术大会已走过十二载征程。我们始终以“驱动工业低碳转型”为使命,深耕零碳技术领域,累计吸引上万名行业精英、专家学者及企业代表参与,成为业内最具影响力的标杆盛会。 2026年,IPAC大会全面升级,开启双技术峰会新篇章!为进一步聚焦零碳技术前沿,英飞凌将于2026年首次推出两大主题技术大会,诚邀您共襄盛举: 英飞凌碳化硅零碳应用技术大会 亮点聚焦:

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。 1 利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET 安森美与竞品对比 本表对比了安森美(onsemi) El

碳化硅赋能浪潮教程:替代Si 和SiC MOSFET的方案

碳化硅赋能浪潮教程:替代Si 和SiC MOSFET的方案

碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第二篇,将介绍三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案 SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点 S

碳化硅赋能浪潮教程:SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析

碳化硅赋能浪潮教程:SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析

碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第三篇,将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。 SiC CJFET: 性价比优势 对于当前市场上任意给定的半导体封装,CJF