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新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin 高爬电距离封装 英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现显著提升，为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能，广泛适用于各类AC
近日，2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼举行，闻泰科技凭借研发创新实力斩获“年度车规芯片技术突破奖”，旗下1200V车规级碳化硅（SiC）MOSFET产品的核心竞争力获行业权威认可。 “年度车规芯片技术突破奖”旨在表彰在前沿领域实现重大原始创新、技术达国际先进水平，且对车规芯片产业链自主安全可控发展具有重要推动作用的企业，凸显行业对技术创新与产业价值的认可。 车规优势显著 坚定研发驱动