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# CoolSiC MOSFET

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英飞凌与为光能源深度携手,共筑固态变压器(SST)高可靠新未来

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近日,英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司(以下简称“为光能源”)正式达成深度合作,携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术,赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器(SST)产品,大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块

新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬电距离封装

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新品 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2  7mΩ分立器件采用TO-247 4pin 高爬电距离封装 英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件,在第一代技术优势基础上实现显著提升,为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能,广泛适用于各类AC