GaN氮化镓器件与SiC碳化硅器件在800V高压电驱逆变器中的选型对比与栅极驱动保护
汽车800V高压平台下，主驱逆变器究竟是上1200V SiC MOSFET，还是等待高耐压GaN成熟？我们在双脉冲测试（Double Pulse Test）台上对比了Wolfspeed的C3M系列SiC和Navitas的GaN。 SiC的短路耐受时间（SCWT）有2~3us，而GaN一旦直通几乎在几十纳秒内炸管。大家在
半导体、嵌入式与电路设计技术专题 · 共 4 篇内容
# SiC
「SiC」是电子工程与半导体、嵌入式与电路设计领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 4 篇关于 SiC 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料（最近更新于 2026年）。提供系统架构拆解、关键器件选型对比与工程调试经验。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。
4
篇文章
13
人关注
227
次浏览
碳化硅SiC MOSFET驱动专用芯片国产化进程与负压关断电路推荐
【问题与背景描述】 近期在推进一款工程方案设计时遇到关于 碳化硅SiC MOSFET驱动专用芯片国产化进程与负压关断电路推荐 的技术难点。 在样机测试与调试过程中，我们实测抓取了关键节点的波形，并对比了芯片官方手册（Datasheet）中给出的参考典型应用电路。 目前有几个疑问想向论坛的前辈与原厂技术支持请教： 1.
碳化硅SiC MOSFET驱动专用芯片国产化进程与负压关断电路推荐
【问题与背景描述】 近期在推进一款工程方案设计时遇到关于 碳化硅SiC MOSFET驱动专用芯片国产化进程与负压关断电路推荐 的技术难点。 在样机测试与调试过程中，我们实测抓取了关键节点的波形，并对比了芯片官方手册（Datasheet）中给出的参考典型应用电路。 目前有几个疑问想向论坛的前辈与原厂技术支持请教： 1.
碳化硅SiC MOSFET驱动专用芯片国产化进程与负压关断电路推荐
【问题与背景描述】 近期在推进一款工程方案设计时遇到关于 碳化硅SiC MOSFET驱动专用芯片国产化进程与负压关断电路推荐 的技术难点。 在样机测试与调试过程中，我们实测抓取了关键节点的波形，并对比了芯片官方手册（Datasheet）中给出的参考典型应用电路。 目前有几个疑问想向论坛的前辈与原厂技术支持请教： 1.