SK海力士HBM混合键合良率取得突破，但成本挑战仍存
据韩媒thelec最新报道，在4月28日于首尔举行的一场半导体会议上，SK海力士技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）透露，公司应用于HBM的混合键合（Hybrid Bonding）技术良率较两年前已显著提升，12层堆叠产品的验证工作已经完成，目前正致力于提升大规模生产的产量。 随着HBM技术的演进，堆叠层数不断增加，工艺复杂性也急剧上升，从而推动了封装技术的持续创新。HBM封装技术已从采
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三星成功产出首颗10纳米以下DRAM工作芯片
据韩媒thelec最新报道，三星已成功生产出基于10纳米以下工艺的DRAM工作芯片（working die），这标志着其在克服存储器制造工艺的物理微缩极限方面，迈出了商业化应用的关键一步。 在DRAM行业的技术命名体系中，10纳米级制程节点已从1x、1y、1z演进至1d。而此次三星实现突破的“10a”节点，是首个实际线宽低于10纳米的工艺，其电路线宽估计在9.5至9.7纳米之间。 “工作芯片”是指
2026上海论坛社会价值分论坛 | 共探科技赋能与生态共赢的社会价值创造之路
4月24日下午，由SK集团与复旦大学管理学院联合主办的“企业社会价值创造：科技赋能与生态共赢的协同之**路”分论坛**在上海世界会客厅圆满举行。作为上海论坛的重要组成部分，本次分论坛呼应“重构的时代：创新与共治”年度主题，汇聚全球政商学界精英，深入探讨企业如何以科技驱动社会进步，在开放协作中实现高质量、可持续的共赢发展。 【分论坛现场】 本次分论坛分为“科技赋能助力企业创造社会价值”和“生
AI热潮下NAND闪存的命运逆转
存储器行业素以强周期性著称，如今再次站在十字路口。这一切始于几年前的人工智能(AI)热潮：当时，高带宽内存(HBM)与AI加速器一同成为训练模型的首选。作为DRAM的一种特殊形式，HBM的利润率远高于NAND闪存。面对NAND价格下跌、利润缩水的困境，三星和SK海力士等大型厂商在扩大NAND产能上变得愈发谨慎。 技术层面同样挑战重重。随着NAND闪存层数突破200层大关，每一代新产品都需要先进的制
全球首次！半导体博士把后院棚子改成芯片工厂：成功在家从零手搓出内存
4月23日消息，这可不是简单的二次拼接，而是从零开始的晶圆级手搓。 海外科技博主Dr.Semiconductor（半导体博士）完成了全球第一次DIY壮举。他在自家后院棚屋改造的洁净室里，成功制备出内存存储单元阵列，实现了史上首次在家自制RAM内存的突破。他还通过视频，完整展示了家用环境下芯片制造的全流程半导体工艺。 当下AI产业爆发，引发了全球内存市场的持续动荡。三星、美光、SK海力士三大
AI下沉端侧，如何破解“存储墙”难题？
当AI从云端向边缘和终端设备迁移，一场以“端侧AI”(Edge AI)为核心的技术应用革命正悄然到来。 在这场变革中，我们必须思考的是，数十亿乃至数百亿台终端设备的未来发展方向——特别是打破它们依赖云端连接才能运行AI任务的固有模式。这些设备必须成为真正具备AI能力的端侧系统，能够以更高效率执行端侧推理，其计算能力以每瓦特所能达到的万亿次运算次数(TOPS/W)来衡量。 与AI数据中心不同，对于端
4万三星人破防集会：都怪SK海力士！
全球正在经历一场严重的存储短缺危机，韩国两大存储芯片巨头之间巨大的薪酬鸿沟，则可能进一步加重这项危机。 昨天，三星电子数万名员工在平泽大型工厂园区集会，集中表达对薪酬待遇的不满。他们举着“透明变革，取消工资上限”“让绩效与薪酬真正挂钩”的标语，跟随主持人高喊口号，现场情绪激昂。活动组织者称，到场人数接近 40000 人。是三星迄今规模最大的一次工人示威。 如果资方达不成诉求，员工计划自 5 月 2
日本光刻胶供应链因关键溶剂短缺告急！
伊朗战争的余波，正通过复杂的化工产业链条，演变为半导体材料领域的新爆发点。 4月24日消息，据多位业内人士透露，日本主要的光刻材料供应商已开始向其韩国客户，包括三星电子和SK海力士，通报关键原材料的采购中断情况。这场危机的核心，是两种看似不起眼却至关重要的溶剂——丙二醇甲醚（PGME）和丙二醇甲醚乙酸酯（PGMEA）的严重短缺。 PGME和PGMEA是电子材料领域应用极为广泛的溶剂，其作用类似于