光刻工艺的坐标地图：FEM
本文主要讲述光刻工艺的坐标地图FEM。 在芯片光刻中，工程师经常提到“做个FEM”。这其实是光刻工艺调试中最基础也最关键的一步。今天我们就来拆解一下，FEM是什么，以及焦距和能量这两个参数如何决定光刻的成败。 什么是FEM？ FEM是Focus Exposure Matrix的缩写，中文叫焦距能量矩阵。简单说，就是在同一片晶圆上，系统性地改变光刻机的焦距和曝光能量，然后显影，看看哪一组参数刻出来
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# 关键尺寸
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ADI是什么？有什么作用？
本文主要讲述ADI。 在半导体芯片制造的光刻工艺中，显影后检测（After Development Inspection，简称ADI）是一个关键的质量控制环节。它位于光刻工艺的显影步骤完成之后、刻蚀工艺开始之前，主要目的是确认光刻胶上形成的图形是否符合设计要求。 ADI在光刻工艺中的位置 光刻工艺的基本流程包括涂胶、曝光和显影三个主要步骤。首先在晶圆表面涂上光刻胶，然后通过光刻机将设计图形曝光到光
光刻过程中的PEB工艺是什么？有什么作用？
本文介绍了光刻过程中的PEB工艺。 在半导体光刻工艺中，曝光后烘烤（Post-Exposure Bake，简称PEB）是一个位于曝光之后、显影之前的关键步骤。它通过在精确控温条件下对已曝光的晶圆进行加热，激活并完成光刻胶内的化学反应，从而将曝光阶段形成的“潜影”转化为具有清晰轮廓的物理图形。PEB的精确性和稳定性直接决定了光刻工艺的线宽控制能力、分辨率与良率。 PEB的定义与工艺位置 PEB是光刻