热扩散是被淘汰的古老工艺吗？
本文介绍了热扩散工艺。 提到芯片制造，大家往往第一时间想到光刻机，而在掺杂环节，现代逻辑芯片早已普及了更为精准的离子注入技术。相比之下，热扩散这个听起来颇具年代感的词，似乎早已被扫进了历史的垃圾堆。但如果把视线从追求极致纳米工艺的CPU转移到微观机械世界MEMS（微机电系统），你会发现这项古老的工艺非但没有消失，反而是制造压力传感器、加速度计乃至高端硅电容器的幕后功臣。 热扩散的原理其实非常朴素，
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# 离子注入
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芯片制造的“流水线”：从硅片到金属互连的标准流程
本文将介绍硅片到金属互连的标准流程。 在现代芯片制造中，无论逻辑、存储还是功率器件，其核心工艺流程都遵循一个基本框架。图片展示的就是这样一个标准流程，它覆盖了从晶体管制造到金属互连的全部步骤。 前端工艺 前端制造晶体管第一步是定义有源区。在硅片上刻出浅槽，填充氧化物，把不同晶体管的活动区域隔开，防止互相漏电。接着进行阱和沟道掺杂，通过离子注入在特定区域引入P型或N型杂质，为NMOS和PMOS晶
Electronic Specialty Gases是什么？在芯片制造中有什么作用
电子特种气体是纯度达到99.999%（5N）以上的特种气体，是半导体、显示面板、光伏等高科技产业制造过程中的关键材料。在集成电路从裸硅片到成品芯片的晶圆制造全流程中，超过一半的工序要用到电子特种气体。芯片制造需经历上千道工序，约70%的环节依赖电子特气。这些气体贯穿薄膜沉积、图形化刻蚀、离子注入掺杂、晶圆清洗等核心工艺，直接影响芯片的性能、良率和可靠性。电子特气堪称半导体工业的“隐形血液”。 电子
从硅片到芯片：集成电路制造全流程解析
集成电路制造是数百道精密工艺协同的复杂工程，核心是在硅晶圆上通过重复循环构建晶体管与互连网络。本文从晶圆制备、光刻、沉积刻蚀、掺杂改性到互连封装，拆解芯片制造全流程，解析各环节核心原理与技术难点。 从一片硅到一枚芯片：集成电路制造究竟经历了什么？ 一枚集成电路看似只是面积有限的硅芯片，其内部却可能集成数以亿计乃至数百亿计的晶体管，以及规模庞大的金属互连网络。如此复杂的结构并不是一次加工完成的，而
芯片制造“核心工艺”完全指南
IC芯片半导体工艺制造技术作为集成电路产业的核心支撑，其发展始终围绕高性能器件研发与工艺精度提升展开，形成涵盖硅片制备、氧化、光刻等关键环节的完整技术体系。 硅片制备 硅片制备作为工艺起点，以硅石与高纯度碳为原料，经高温电炉还原生成冶金级硅后，通过三氯氢硅提纯与Czochralski晶体生长法或悬浮区熔单晶生长法实现单晶硅制备。硅片加工流程包含滚切、定向、腐蚀损伤层、切片、倒角、初抛、精抛等十二道