给晶体管上紧发条：外延应力如何提升芯片性能
本文主要讲述外延应力如何提升芯片性能。 在追求更高性能的征途中，工程师们发现了一个免费午餐——应变硅技术。通过在特定区域引入晶格应力，可以显著提升载流子的迁移率，从而在不缩小尺寸的情况下提高晶体管的驱动电流。其中，选择性外延生长是施加应力的核心手段。那么，应力是如何从外延层“传递”到有源区（AA），又是如何改变晶体管电性的呢？ 应力从何而来：外延层的“原子尺码不匹配” 应力的源头，在于两种材料原
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# 载流子迁移率
关于「载流子迁移率」的技术文章、设计资料与工程师讨论，持续更新。
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晶体管的动力之源：IdSAT究竟由谁决定
本文介绍了影响晶体管饱和电流的各项因素。 在芯片性能的比拼中，有一个参数几乎成了晶体管速度的代名词——饱和电流（IdSAT）。它衡量的是晶体管完全导通时，从漏极流向源极的最大电流。IdSAT越大，逻辑门的翻转就越快，芯片的主频就越高。那么，这个决定芯片“马力”的关键参数，究竟被哪些制造工艺所左右？我们从最基本的物理公式出发，一层层拆解。 一、IdSAT的“第一性原理”公式对于先进工艺中的短沟道晶