芯闻速递丨东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货,该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统,同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展,功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流(HVDC)架构部署的增加,推动了市场对更高功率转换效率和更高
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东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货,该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统,同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展,功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流(HVDC)架构部署的增加,推动了市场对更高功率转换效率和更高
最近我拜访了一位在西北某电网工作了半辈子的老大哥。他带我走进一座老旧的配电站,刚进去就能听见硕大的干式变压器嗡嗡作响,大哥给我吐槽说“现在新能源发展的越来越快,电网的负担也越来越重了,光伏板满村的屋顶铺,山上铺,晚上家家户户电动车排队充电,周围还有几家数据中心24小时要着要电。电压忽高忽低,谐波超标,跳闸就成了家常便饭。” 他摊开手,满脸无奈。 那一刻我突然意识到,我们正在用19世纪的工具,解决2
Tower Semiconductor 近日披露,公司已与主要硅光子客户签署 2027 年收入合同,金额达到 13 亿美元,并已收到 2.9 亿美元客户预付款,用于锁定相关产能。 这次合同对应的是硅光子业务。AI 集群规模越来越大以后,数据传输压力会明显上升。GPU、AI 加速器、交换芯片和光模块之间,需要更高带宽、更低功耗和更稳定的连接。算力继续增加,数据如果传不动,系统效率也会被限制。 硅光子
安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)公布其2026年第一季度业绩,要点如下: 第一季度营收为15.13亿美元,高于公司业绩指引中值 第一季度公认会计原则(以下简称“GAAP”)与非GAAP毛利率均为38.5% 第一季度GAAP营业利润率为(3.5)%,非GAAP营业利润率为19.1% 第一季度GAAP每股摊薄收益为(0.08)美元,非GAAP每股摊薄收益为0.64美元
两家公司周三在一份联合新闻稿中表示,这些工厂将创造至少 3000 个就业岗位,并将康宁在美国的光学制造能力提高10 倍。 财务条款未予披露。消息公布后,康宁股价飙升17%,英伟达股价上涨约2%。 根据协议,英伟达有权向康宁公司投资至多27亿美元。英伟达将获得认股权证,可以每股180美元的价格购买至多1500万股康宁普通股,该价格高于周二162.10美元的收盘价,但低于股价上涨后的价格。 此外,
安森美通过碳化硅(SiC)器件的性能突破与拓扑优化,提升了储能逆变器在效率、成本与适应性方面的表现,并为AI数据中心等高能耗场景提供了高效解决方案。