英飞凌亮相SEMICON China & CS Asia 2026：以GaN赋能高密度AI电源平台，共铸万亿半导体新时代

SEMICON China 2026开幕仪式

3月25日，SEMICON China 2026国际半导体展在上海盛大启幕，展览面积逾10万平米，吸引1500家全球展商参与，预计逾18万人次专业观众共襄盛举。

本届展会聚焦三大产业趋势：AI算力持续爆发，2026年全球AI基础设施支出将达4500亿美元；作为AI基础设施核心资源，全球存储产值成为半导体第一增长极；技术驱动产业升级，先进封装战略地位凸显，“先进制程+先进封装”双轮驱动从系统层面推动产业升级。

本次开幕主题演讲由英飞凌科技高级副总裁、英飞凌无锡董事总经理范永新主持。

CS Asia 2026亚洲化合物半导体大会

3月24日，作为SEMICON China 2026同期旗舰活动，亚洲化合物半导体大会（CS Asia）于上海浦东嘉里大酒店正式启幕。本届亚洲化合物半导体大会首日便吸引了海内外300余位专业观众到场参与，参会人群覆盖化合物半导体产业链上游材料、核心设备，中游器件制造，下游终端应用等全环节企业代表，为产业链各方搭建了技术交流、资源对接、合作共赢的优质平台，助力全球化合物半导体产业在AI时代实现协同发展。

在CS Asia开幕主题演讲环节，英飞凌科技高级副总裁、氮化镓业务负责人Johannes Schoiswohl发表了题为《GaN功率半导体：赋能高密度AI电源平台》的演讲，深入剖析了GaN技术在AI数据中心电源平台中的核心价值与落地路径，为行业发展提供了新的思考方向。

AI电源架构：三阶段演进，功率密度持续跃升

人工智能（AI）应用的快速发展大大增加了数据中心的电力需求。训练和运行AI模型之所以需要消耗能源，是因为机器学习算法的复杂计算需要算力支撑。

Johannes在发言中指出，随着AI算力需求持续攀升，数据中心供电架构正经历深刻变革：从当前单机架250kW以下的传统方案，经由引入三相高压直流（HVDC）Power Sidecar的500kW+过渡阶段，最终迈向突破1MW的混合微电网架构目标。在这一演进路径中，电源供应单元（PSU）、电池备份单元（BBU） 和IBC（中间总线转换器）成为提升系统性能的重要部分。

GaN引领PSU、BBU、IBC升级

电源供应单元（PSU）： 基于交错式T型PFC拓扑，GaN方案实现了业界领先的效率与功率密度。其中，一颗GaN双向开关（BDS）可替代4颗650V SiC开关，在提升功率密度的同时显著降低系统成本；配合英飞凌PSOC™ C3 P8控制器实现全数字化控制，功率因数PF > 0.98，负载范围覆盖20%至80%。

电池备份单元（BBU）： 英飞凌推出12kW混合（Si+GaN）局部功率转换器方案，采用专利拓扑设计，相较现有主流方案实现更高功率密度与更高效率；模块化架构支持功率灵活扩展。

中间总线转换器（IBC）： 在800V至50V高压IBC场景中，采用输入串联输出并联（ISOP）拓扑，GaN同步整流方案的SR FET损耗较硅基MOSFET降低60%，或可等效减少并联器件数量；在48V至12V中压IBC交错Buck场景中，GaN方案相较硅基方案可带来约1%的效率提升。

从PSU到BBU再到IBC，英飞凌以GaN技术实现了AI电源平台的全链条覆盖，为高密度、高效率的AI算力基础设施建设提供了完整的系统级解决方案。

英飞凌将持续深耕GaN技术，与全球产业伙伴携手共进，在万亿半导体时代加速推动AI基础设施的能效变革，共迈“低碳化、数字化”可持续未来。