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安森美（onsemi）推出行业首款网页端工具，实现栅极驱动器和电源开关的智能配对。Elite Pairing Studio智能配对工具能够推荐我们的EliteSiC MOSFET和栅极驱动器的最佳匹配方案，在几秒钟内评估所有栅极驱动器，决策速度提升10倍，实现更高性能的电源设计。 Elite Pairing Studio智能配对工具，快速完成安森美SiC MOSFET和栅极驱动器多个组合的评估，
在新能源、工控、储能等高压大功率场景中，沟槽栅 SiC MOSFET凭借优异的开关性能被广泛应用。但在电机驱动、电源转换等感性负载场景中，MOSFET关断时因电流突变会在漏源极间产生高压尖峰。若无钳位电路吸收能量，器件可能进入雪崩击穿状态，轻则参数劣化，重则直接烧毁。雪崩稳健性是衡量 SiC MOSFET 可靠性的核心指标，今天结合实测案例与图表，拆解动态雪崩测试原理、单脉冲 / 重复雪崩耐量区
近年来数据中心功耗持续上升，迫切需要提升服务器电源效率并降低损耗，为此东芝开发了采用适用于服务器的1kW ITTF AC-DC转换器的高效服务器电源参考设计，该参考设计在230V输入电压时，能效超越80 PLUS铂金级标准。 该参考设计整体包含图腾柱PFC电路、ITTF DC-DC转换器电路以及ORing电路： · 其中图腾柱PFC电路高频开关元件采用SiC MOSFET TW107Z65C，低频
01 SiC MOSFET的体二极管及其关键特性 无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示： 图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET 图2. 平面栅型MOSFET N+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。 N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。 P-bod
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制，常见的单管额定电流多在几十到两百安培，而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景，往往需要千安级的电流输出，单管无法满足。因此，SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。 不管是SiC MOSFET还是IGBT，并联的目标都是实现电流的均匀分布，且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标，我们需要做到三点： 1.并联芯片参
本文深入探讨了功率因数校正（PFC）技术的演进，特别是碳化硅（SiC）MOSFET在PFC中的应用。文章分析了PFC的历史、无源和有源PFC技术，并详细介绍了SiC MOSFET在图腾柱PFC、AI算力电源、电动汽车充电桩和固态变压器中的优势。