重磅 | 方正微电子荣获"2026年度影响力汽车芯片"大奖！
2026年4月26日·北京 – 在2026北京国际汽车展览会，方正微电子凭借在第三代半导体领域深厚的技术积淀、卓越的车规级SiC（碳化硅）产品性能以及大规模商业化落地能力，成功斩获“2026年度影响力汽车芯片”大奖。 此次评选活动由中国汽车芯片产业创新战略联盟主办，采取10家整车企业专家评委背靠背独立打分的形式开展评审，全国各地的近200个项目参与申报。方正微电子从众多参评企业中脱颖而出，不仅是对
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# SiC MOSFET
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SiC赋能：晶丰明源推出大功率内置碳化硅产品BP3532GC，打造200W反激恒压电源应用
当前第三代半导体产业迎来广阔发展机遇，碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）凭借高频、高功率、低损耗等优异特性，已成为车载快充、数据中心及能源领域能效升级的核心关键材料。相较于传统硅基 MOSFET，碳化硅器件更具备高频低损耗、耐高温、高耐压、高功率密度及高可靠性等突出优势，在大功率电源应用中可显著提升转换效率、缩小产品体积、降低系统成本，是新一代高效电源的理想技术方案。 晶丰明源结合碳化硅 SiC
【技术干货】满足汽车应用需求的多层片式陶瓷电容器与NTC热敏电阻
满足汽车应用需求的 多层片式陶瓷电容器 与NTC热敏电阻 在汽车产业加速迈向电动化、智能化与高可靠度电子架构的趋势下，车用电子系统对无源器件的性能与稳定性提出了更严格的要求。无论是动力系统、车身控制、ADAS，或是车载信息娱乐系统，关键电路都必须在高温、剧烈振动与长时间运作的环境中保持准确与稳定。多层片式陶瓷电容器（MLCC）以其高能量密度、低ESR与出众的高频特性，成为电源去耦与信号稳定不可或缺
闻泰科技荣获“年度车规芯片技术突破奖”！1200V SiC MOSFET再传捷报
近日，2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼举行，闻泰科技凭借研发创新实力斩获“年度车规芯片技术突破奖”，旗下1200V车规级碳化硅（SiC）MOSFET产品的核心竞争力获行业权威认可。 “年度车规芯片技术突破奖”旨在表彰在前沿领域实现重大原始创新、技术达国际先进水平，且对车规芯片产业链自主安全可控发展具有重要推动作用的企业，凸显行业对技术创新与产业价值的认可。 车规优势显著 坚定研发驱动