碳化硅赋能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。 1 利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET 安森美与竞品对比 本表对比了安森美（onsemi） El
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TI 2026 电源研讨会，赋能下一代电源设计！
2026 德州仪器 (TI) 电源设计研讨会已于日前在深圳、北京、西安、上海、杭州五城巡回举办，顺利落幕。 本次研讨会围绕高效、高功率密度及智能控制的核心行业趋势，通过八大深度技术议题系统性地输出了涵盖基础拓扑、先进材料 (GaN)、创新结构（平面变压器）、数字控制及精密检测等在内的核心技术知识，为电源工程师提供了一场从基础理论到前沿实战的全方位知识赋能。 硬核知识，技术干货大放送 从搞定 PCB
碳化硅赋能浪潮教程：替代Si 和SiC MOSFET的方案
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第二篇，将介绍三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案 SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点 S
碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 本文为第三篇，将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。 SiC CJFET: 性价比优势 对于当前市场上任意给定的半导体封装，CJF
ST微型驱动器助力小型家电设计：封装更小巧，布局更灵活
驱动器级创新产生重大突破，简化交流电源控制设计 意法半导体（ST）发布了一款体积非常紧凑的晶闸管栅极驱动器。新产品专为吹风机等交流电小家电开发设计，内置创新的隔离型变压器，可实现更简洁、更纤薄的电源设计。 新微型驱动器STSID140-12采用5.35mm×3.45mm无引线DFN封装，高度仅1.2mm。嵌入式变压器安装在封装基板上，虽然变压器尺寸很小，但是绝缘电压可达到1250V(RMS)，确保
【工程师笔记】都可以升压，Boost、Buck-Boost、Sepic拓扑怎么选？
工程师们在做电源设计时经常会有升压的需求，而常用的Boost、Buck-Boost、Sepic拓扑均可实现升压。这些拓扑有什么区别，该选哪个呢？ 先来简单了解一下 这三种拓扑的基本原理 Boost 在一个周期内，当MOS管Q1导通时，二极管D1截止，输入给电感L1储能，输出需要的能量靠输出电容维持；当MOS管Q1关断时，二极管D1导通，输入源和电感L1共同给输出提供能量。 通过理论推导可以得到，
T2PAK封装详解：顶部散热与无引线设计提升功率密度
本文详细介绍了安森美的T2PAK封装结构及其关键规格参数，包括顶部散热、无引线设计等优势，以及其在高效率、高密度电源设计中的应用。
UC3844控制器多路输出双管正激开关电源设计详解
本文介绍了一种采用UC3844控制器的多路输出双管正激开关电源的设计，包括其工作原理、电路结构及实验结果。该设计适用于宽范围电压输入场合，并通过LM350稳压器提高输出精度。
COT控制模式电源稳定性：Bode图不再是唯一标准
本文详细解析了COT控制模式在电源设计中的应用，特别是其与传统电压和电流控制模式的区别。通过时域波形分析，探讨了COT架构下的稳定性测试方法，并提供了实际测试数据。
铁道机车辅助电源系统详解：三相交流与直流电源设计方案
引言 为保证列车牵引 、制动等系统的正常运行 ， 车上设有各种必需的辅助装置 ， 包括各冷却用风机 、 变压器冷却用油泵、变流器冷却用水泵 ， 为制动 、受电弓等各种气动机械装置提供风源的空气压缩机等。 此外 ，为保证良好 、舒适的
矽力杰SY8884ADFC：高效1MHz降压转换器助力小型化电源设计
在物联网、消费电子、便携式设备飞速发展的今天，电源管理芯片的效率、尺寸和稳定性直接决定了终端产品的用户体验。作为专注于电子元器件代理销售的企业，浮思特科技一直与全球知名电源管理厂商矽力杰(Silergy)保持深度合作，成为其官方授权代理商，