利用波特图显示控制环路特性
关键要点 通过负载瞬态测试并不能保证电源真正稳定。波特图能够揭示相位裕度和时域测试无法发现的潜在不稳定风险。 穿越频率反映了控制回路的真实响应速度。将目标设定在开关频率的1/10至1/5之间可优化性能,此项关键指标仅有波德图能够清晰显示。 本文解释了为何要利用波特图来展示电源环路的传递函数。虽然存在时域负载瞬态测试,但这种测试并不能揭示波特图所能提供的其他重要信息。读者将了解二者的区别
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关键要点 通过负载瞬态测试并不能保证电源真正稳定。波特图能够揭示相位裕度和时域测试无法发现的潜在不稳定风险。 穿越频率反映了控制回路的真实响应速度。将目标设定在开关频率的1/10至1/5之间可优化性能,此项关键指标仅有波德图能够清晰显示。 本文解释了为何要利用波特图来展示电源环路的传递函数。虽然存在时域负载瞬态测试,但这种测试并不能揭示波特图所能提供的其他重要信息。读者将了解二者的区别
本视频聚焦固态变压器(SST)应用,介绍英飞凌搭载CoolSiC™ MOSFET的EasyPACK™功率模块的解决方案。SST正在重塑高压输电与AI数据中心供电架构,设备需在快速、持续的动态负载下稳定运行并满足15–20年寿命。基于.XT扩散焊技术,EasyPACK™模块的功率循环能力提升20倍以上,在严苛工况下保持卓越稳定性;高效SiC MOSFET设计提升功率密度并简化拓扑,更适配SST。英飞
随着数据中心AI负载所需功率的快速增加,服务器的供电架构也随之发展。当前每个机架包含供电单元PSU、备用电源BBU及AI负载等,单相PSU的功率也逐步从3.3kW提升至12kW。然而当机架功率水平超过250kW时,供电电源正转向采用专用机架(即sidecar)进行供电和备电配置,并逐步过渡到三相交流供电模式。最后,随着机架功率水平的持续提升,数据中心预将采用基于固态变压器(SST)的完全集中式高压
在电源与基准设计里,齐纳二极管几乎是每位工程师都用过的“老伙计”。但它的问题也一直摆在那里:动态阻抗往往在几十欧姆量级,负载或输入电压一波动,基准节点电压就跟着晃;温度系数随击穿电压剧烈变化,低压段更是明显负向漂移;更麻烦的是开启曲线偏“软”,小电流下电压建立不稳,做并联稳压时调节能力有限。当系统对基准精度、温漂和负载调整提出更明确的要求时,这个老伙计就开始力不从心。 芯佰微给出的替代解法,是 C
随着风电、光伏等波动性电源快速接入电网,储能逐渐成为提升电力系统灵活性的重要支撑。根据国际能源署(IEA)数据,2025年全球新增电池储能装机容量达到108GW,同比增长约40%,其中中国新增装机超过63GW,继续保持全球领先。 但储能进入规模化应用,深入电网调节、工业微电网以及AI数据中心等场景后,系统效率、安全性和长期运行能力逐渐成为业界焦点。无论是高压直流转换、功率变换,还是电池状态管理,
电荷泵(Charge Pump)是无电感、仅依靠电容充放电转移电荷的 DC-DC 拓扑。 以TPS60403举例,下面是反相型开关电容电荷泵核心等效模型,对应 TPS60400 芯片内部电路 [ ](https://global.discourse-cdn.com/digikeycn/original/2X/0/08482b2d49bc10196a75b4b882ee63b137b1aa80.p
工程名称:140W全协议+彩屏数显+协议开关,这款掌中快充,美翻了! 前言 这是一个——140W!全协议!彩屏!**快充电源**! 目前项目已开源,在介绍它的功能、参数,设计方案前,我想先和大家说一下我的…… 制作心路历程 ” 最初,其实我只是想要一台能大功率快充、又能直观看到每一秒充电数据的桌面小设备。 于是我先敲定了SW3566快充 + ESP32 智能主控的方案。 然后,事情开始不简单了。
如果观察近年来电子系统的发展,会发现一个有趣的现象: 无论是AI数据中心、工业机器人、能源基础设施,还是新能源汽车,它们对电源系统的要求都在同步提升。一方面,系统功率持续增长; 另一方面,设备尺寸、散热空间以及能耗预算却受到越来越严格的限制。 这意味着,未来电源设计的竞争已不再局限于单颗器件性能,而是如何在更小空间内实现更高效率、更高功率密度以及更稳定可靠的系统运行。在这样的背景下,氮化镓(GaN
技术干货 简介 随着生成式AI与大模型的爆发式增长,AI服务器的算力需求正呈指数级攀升。作为算力的物理承载,AI服务器不仅需要更强大的GPU/CPU,更迫切需要一套稳定、优效且高密度的供电系统来支撑其运转。然而,动辄数十千瓦的机柜功耗、急剧缩短的产品迭代周期,以及日益严格的能效法规,正让传统电源架构捉襟见肘。本文将为您剖析AI服务器在电源架构上的需求,以及由Murata(村田制作所)所推出的电源方
技术干货 简介 在数据驱动时代的浪潮下,数据中心已成为支撑全球信息传输、存储与处理的核心基础设施。随着物联网、云计算、5G通信及人工智能等新兴技术的快速发展,数据中心面临着前所未有的性能需求与能源压力。本文将为您探讨数据中心电源管理的发展趋势与挑战,并介绍Molex(莫仕)相关技术解决方案,以期为行业设计工程师提供有价值的参考。 数据中心电源管理所面临的挑战 数据中心在这个由数据驱动的社会中发挥着
随着人形机器人、移动机器人、无人配送机器人以及服务机器人的快速发展,机器人系统所需功率不断提升,负载复杂度也在持续增加,机器人系统设计面临着诸多挑战: 续航优化:降低待机功耗,减少MCU唤醒 系统可靠性:避免热插拔和浪涌导致系统重启 功耗管理:保护线束、电池和关键负载 开发效率提升:减少软件复杂度,加快产品上市 应对这些挑战,需要面向机器人平台的智能电源保护与管理方案提供助力
技术干货 简介 当前的数据中心电源解决方案的发展,正由AI算力的爆发式增长所驱动,AI模型训练与推理对算力的渴求,正将数据中心的电力消耗推向新高,海量且激增的电力需求,是变革的根本动力,其核心趋势是向更高压、更高效、更集约化的架构演进。本文将为您介绍数据中心电源解决方案的发展,以及由Littelfuse推出的相关解决方案。 经历深刻变革的数据中心供电架构 全球数据中心的电力需求正以惊人的增长速度,
技术干货 简介 随着GPU功耗的持续攀升,AI服务器环境中的供电需求不断增长,其采用的供电架构从48V向800V的转型变化,驱动着AI数据中心基础设施的演进,这种高压架构为系统保护与监控带来了新的挑战,尤其是在托盘带电插拔的过程中。本文将为您介绍数据中心热插拔控制器的未来发展趋势,以及ADI在高压热插拔保护领域的持续创新成果。 数据中心热插拔控制器的未来发展 随着AI工作负载不断加重,服务器环境中
碳化硅(SiC)功率器件在高压和高温应用中展现出卓越的效率与性能,而传统硅基器件在这些领域则面临物理极限。 在各类SiC器件中,肖特基势垒二极管(SBD)被公认为最早问世的SiC功率器件,相关研究可追溯至1974年[1]。SBD很快便实现了广泛的商业化应用,尤其在电动汽车牵引逆变器和可再生能源装置等电源转换系统中。 SiC肖特基势垒物理原理 与依赖P型和N型半导体结的PN结二极管不同,SBD通过金
本期为大家带来的是《**一种用于图腾柱无桥 PFC 的新型 CCM-TCM 多模式控制方法》,本文分享图腾柱无桥 PFC 的 CCM-TCM 多模式控制方法,讲解零电流检测、ZVS 与平滑模式切换的实现细节,将轻负载效率提高多达 2%,实现超过 180W/in³** 的功率密度,满足数据中心电源的 80 Plus Ruby 认证要求。 简介 数据中心采用的电源单元 (PSU) 必须具有高效率和高功
在电源设计中,良好的热管理是确保可靠性、高效率和长寿命的关键。随着功率密度的提升,有效的散热对于防止过热和元器件失效至关重要。本文回顾了四种主要散热方法:自然对流、强制空冷、导热和液冷,并介绍了最佳实践、常见设计陷阱和仿真工具。本文还特别提到了ADI控制器在不同应用场景下支持热调控的优势。糟糕的热规划可能导致电源性能下降、寿命缩短或系统故障。通过在设计过程中尽早整合热策略,工程师可以构建更稳健、更
本文介绍了电源领域硅、碳化硅、氮化镓三类主流功率半导体材料的核心性能参数、技术特性与适配场景,梳理了不同材料的优势与应用边界,同时针对性给出了碳化硅与氮化镓在功率电路设计中的关键注意事项及核心设计要点,指出其演进方向,即为全球能源转型与碳中和目标下的电力电子技术革新筑牢基础。 随着全球对高效能电源转换技术的需求不断提升,半导体材料在电源领域的应用日益重要。从传统的硅(Si)功率元器件,到近年来快速
为演示高频 LLC 设计概念,并展示外加 Cds 对初级侧 dv/dt 及功率损耗的影响,本期将基于一套特别设计的硬件测试平台展示实测结果,以排除 LLC 变换器次级侧的各种影响因素。 测试结果 该测试平台原理图如图 1 所示。它是一个无负载的半桥(HB)谐振变换器,在死区时间要求和初级侧器件开关损耗方面,等效于工作在谐振频率附近或以下的 LLC 变换器。通过采用不同的电感值( Lm ),可以获得
简化您的汽车与工业电机控制设计。集成式电机驱动器正在改变汽车和工业电机控制设计方式。了解这些器件如何简化设计、提升可靠性并加快产品上市速度。 在当今快速发展的汽车与工业市场中,对紧凑、高效且可靠的电机控制解决方案的需求日益增长,这些方案已成为系统设计中的关键组成部分。将核心控制功能与电源管理功能集成于单一器件中的电机驱动器,能够显著加快设计开发进程。集成式电机驱动器不仅可以简化系统设计、减少元器
引言 小型隔离式电源可在电动汽车牵引逆变器、工厂控制模块等各种应用中跨越隔离屏障提供电力。本《电源设计小贴士》将剖析不同的隔离式偏置电源拓扑及其电磁干扰 (EMI) 性能。如您所见,隔离式变压器两端的寄生电容是导致共模噪声传播的主要因素**。** 隔离栅极驱动为何需要偏置电源 在牵引逆变器中,栅极驱动器会驱动大功率开关(通常为绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 或碳化硅 (SiC) MOSFET),实