「功率模块」是电子工程与电源新能源、展会领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 3 篇关于 功率模块 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料（最近更新于 2026年05月）。核心收录议题涵盖《英飞凌 Easy C 系列：.XT 扩散焊 + CoolSiC™ MOSFET G2，重塑大功率充电与储能方案》《芯光璀璨・智汇光谷 | 方正微电子亮相武汉九峰山 CSE 2026，直击现场盛况》《【新品发布】高性能小体积三相SiC功率模块DIP32赋能车载应用新方案!》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。
随着电动汽车与储能产业高速增长，行业对高寿命、高效率、高功率密度的功率器件需求愈发迫切。英飞凌全新推出采用.XT 扩散焊技术与1200V CoolSiC™ MOSFET G2 的 Easy C 系列功率模块，精准攻克充电与储能系统功率循环、宽温运行、热管理等核心挑战。 该模块功率循环能力较上一代提升 20 倍，系统效率最高提升 0.5%，工作温度可达 175℃，过载耐受 200℃。搭配大电流 Pr
芯光璀璨 智汇光谷 方正微电子亮相武汉九峰山 CSE 2026 直击现场盛况 2026年4月23日，作为国内领先的碳化硅功率半导体IDM企业，深圳方正微电子有限公司携全系车规级&工业级SiC晶圆→功率器件→模组→系统解决方案，重磅亮相武汉九峰山 CSE 2026。在这场以“新赛道、新技术、新产品、新市场”为主题的年度半导体盛会上，方正微电子以“SiC功率专家”为核心定位，全方位展现国产S
在新能源汽车迈向高效率、高功率密度与双向能量流动的趋势下，功率器件正成为系统性能跃迁的核心引擎。方正微电子正式推出全新一代三相全桥SiC MOS DIP32功率模块FA120D035TSCAAS（1200V35mΩ）和FA120D060TSBAAS（1200V60mΩ）为车载充电、热管理系统和辅驱系统提供更优的功率器件解决方案。 一、产品亮点 • 全自研国产车规级SiC MOSFET芯片，实现超