伴随AI服务器算力持续跃升、超大规模数据中心加速落地、新能源产业技术深度迭代，全球市场对高效率、高功率密度电源产品的需求，正迎来前所未有的爆发式增长。国际能源署（IEA）报告预测，到2030年，全球数据中心电力需求将实现翻倍以上增长，总量将达约945太瓦时（TWh），规模已略超日本当前全年用电总量。电源系统作为电子设备的核心动力单元，其功率上限与集成密度的综合性能，已成为决定终端产品核心竞争力的关键标尺。
然而在实际研发落地中，电源设计的诸多共性痛点始终困扰着广大工程师：功率预留不足导致整机运行bug频出、追求高功率输出便难以压缩PCB尺寸、同等功率指标下设计方案的空间占用始终无法实现优化突破。这些难题是否也在拖慢你的研发进程？安富利基于安森美图腾PFC产品设计的3kW AC/DC模拟电源供应器（PSU）解决方案应运而生，此方案采用创新的拓扑架构与控制策略，旨在为工业与电信应用提供卓越的电力转换能力。让你的研发设计彻底摆脱功率与体积的两难桎梏。
开发套件介绍
安富利3kW AC/DC模拟电源供应器（PSU）解决方案，基于安森美（onsemi）NCP1681与NCP4390核心控制器件开发，专为高功率电力转换场景打造，满足数据中心、工业设备与脱机电源系统等严苛应用的需求。该方案采用创新拓扑架构与优化控制策略，同步推出安森美SiC CJFET（碳化硅结型FET）与安森美EliteSiC MOSFET（碳化硅）两个版本，可全面适用于AI服务器、工业自动化设备、新能源设施、电信基站等各类大功率供电场景，为高功率密度、高转换效率的电源产品研发提供成熟完整的解决方案。
相较于传统MCU控制设计，使用模拟控制可降低设计复杂度、减少物料清单（BOM）成本并加速产品开发。NCP1681与NCP4390的协同运作，使本解决方案能满足现代电力需求，同时兼顾效率、可靠性与可扩展性。
方案优势
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采用图腾PFC+半桥LLC拓扑，整机效率可满足80 Plus Ruby标准，功率密度达到40W/in³；
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结合NCP1681图腾柱PFC控制器与NCP4390 PWM及同步整流（SR）COMBO控制器，极大简化了电源转换流程；
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在230Vac（50%负载）条件下，实现高达96.9%的转换效率；
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负载大于10%时其功率因子大于0.99及负载超过20%时总谐波失真（THD）小于5%，从而为设备提供稳定可靠的电力供应；
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PCB尺寸仅为262mm x 105mm x 31mm，能轻松嵌入空间有限的设备中。
版本一：SiC CJFET（碳化硅结型FET）
特点：低开关损耗，开关速度接近GaN，可提高轻载能效并具有成本优势。
安森美SiC cascode FET（碳化硅结型场效应晶体管）是一种高性能、常开启型（normally-on）JFET晶体管，VDS-max范围为650V到1700V。提供高开关频率和低至4毫欧的超低导通电阻RDS(on)，所需芯片面积不到其他技术的一半。此外，低栅极电荷（Qg）得以进一步减少导通损耗和开关损耗。SiC JFET专为优化用于电源单元（PSU）和下游高压DC-DC转换，以应对未来AI数据中心机架的巨大功率需求。
版本二：EliteSiC MOSFET（碳化硅）
特点：开关损耗低，RDS(on)温度特性稳定且可靠，适合高温应用环境。
安森美推出的EliteSiC MOSFET是一款碳化硅功率器件，具备低导通电阻、低电容和栅极电荷、-55°C至175°C宽温度范围（符合AEC-Q101汽车标准）等特性，能降低损耗、提升效率并支持高频操作，兼具高可靠性。其电压涵盖650V、900V、1200V、1700V，广泛应用于电动汽车、太阳能逆变器、服务器电源、工业电源等高压场景。
为了让工程师们更直观、全面地掌握安富利3kW AC/DC模拟电源供应器方案的设计逻辑、器件选型思路与实际运行表现，可通过下面三条深度解析视频，从理论架构、落地细节到实测数据层层拆解，快速吃透高功率密度电源的核心技术难点。
第三条视频极具落地参考价值，全程以上机实测为核心，通过专业仪器直观展示电源真实工作状态与性能表现，以真实测试结果印证方案的高效率与高可靠性，为电源研发、方案选型提供实测依据。
安富利3kW AC/DC模拟电源方案，不只是高性能器件的集成，更是对未来工业、电信领域严苛供电需求的精准作答。未来，安富利将持续以技术整合为核心，推动尖端半导体技术的场景化落地，以成熟可靠的解决方案，赋能下一代电力基础设施的更新迭代。
更多资料查阅
AI数据中心系统解决方案指南.PDF
安森美AI服务器电源解决方案.PDF
SiC-JFET-概述.PDF
白皮书：AI数据中心和电信应用的电源技术对比.PDF
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