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英特格扩大与铠侠合作,推进BiCS FLASH材料创新

核心导读 英特格宣布扩大与铠侠战略合作,结合双方材料科学、计算建模、半导体工艺与存储技术能力,并借助AI、高级建模和数字孪生,加速未来BiCS FLASH 3D闪存及下一代计算的材料创新。

英特格公司今日宣布扩大与铠侠公司的战略合作,以加速面向未来几代BiCS FLASH 3D闪存和下一代计算的材料创新。

随着人工智能在数据中心、企业系统和边缘计算中不断扩展,存储器对系统性能和能效的重要性日益提升。未来存储架构需要在器件设计、材料和工艺技术方面取得进展,以满足不断增长的性能和容量需求。

此次扩大合作旨在使未来器件需求与材料创新更紧密结合,将英特格在材料科学、计算建模、仿真和半导体工艺解决方案方面的能力,与铠侠在存储技术及工艺整合方面的专长相结合。

人工智能、高级建模和数字孪生技术将成为此次合作的核心。双方将利用这些能力探索更广泛的材料设计空间,识别有前景的候选材料,并指导实验评估。

通过将计算发现与物理测试及器件级学习相连接,此次合作旨在打造更一体化的从虚拟到物理的开发环境。该方法旨在提升学习效率,并加速面向未来存储架构的材料与工艺技术评估。

位于日本三重县的Geino技术中心将成为此次扩大合作的重点。该中心旨在支持双方在未来存储技术方面开展更紧密合作,将铠侠的未来器件需求与英特格的材料专长、人工智能赋能建模、数字孪生技术及实验验证能力连接起来。

这一开发模式旨在推进未来几代BiCS FLASH和下一代存储器所需的材料与工艺技术。

英特格材料解决方案业务总裁兼高级副总裁、首席创新官Olivier Blachier表示:“人工智能和数字孪生技术正在为材料开发带来新机遇。我们与铠侠扩大合作,将连接计算发现、实验学习和器件验证,使我们能够探索更多可能性并更快学习。”

铠侠公司先进存储开发中心总经理Minori Kajimoto表示:“推进存储技术需要在器件架构、材料和工艺技术方面取得突破。通过将铠侠在存储技术方面的深厚专长与英特格在先进材料能力、人工智能和高级建模方面的优势相结合,我们旨在加速创新,并为未来几代BiCS FLASH开拓新的可能性。”

来源: 海外媒体

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